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意法半導體(ST)先進的1200V IGBT可實現更長的使用壽命並節省更多能源

本文作者:意法半導體(ST)       點擊: 2014-07-09 09:44
前言:
2014年7月9日--意法半導體最新的1200V絕緣閘極雙極性電晶體(IGBT,Insulated-Gate Bipolar Transistors)藉助第二代溝槽式場截止(trench-gate field-stop)高速技術提升太陽能逆變器、焊機(welder)、不間斷電源和功率因數校正(PFC,Power-Factor Correction)轉換器的耐用性和能效。
 

 
意法半導體的新H系列1200V IGBT降低多達15%的關機損耗和導通損耗。飽和電壓(Vce(sat))減少至2.1V (在標準集極電流和100°C下的典型值),這能確保總體損耗降至最低,在20kHz開關頻率下更高效地工作。
 
此外,新款1200V IGBT提供整合高速恢復反平行二極體的選項,以協助開發人員最佳化硬開關(hard-switching)電路的性能,使用飛輪二極體(freewheel diode)大幅降低開關電路的能源損耗。
 
新款IGBT擁有極強的耐用性,當實際電流是標準電流的四倍時無鎖定(latch-up-free)效應,及僅5µs的短路時間(在150°C 初始結溫時)。最大工作結溫擴大到175°C,有助於延長產品的使用壽命,簡單化系統散熱設計。寬安全工作範圍(SOA,Safe Operating Area)則有效提升大功率應用的工作可靠性。
 
優異的防電磁干擾(EMI,electromagnetic interference)是新產品的另一大優勢,這歸功於新系列產品在開關過程中取得近乎理想的波形,令競爭產品望塵莫及。Vce(sat)的正溫度係數,結合元件之間參數分佈緊密,使其在大功率應用中能更安全的平行工作。
 
意法半導體的H系列IGBT現已量產,採用TO-247封裝,共有15A、25A和40A三個型號。
更多詳情請至www.st.com/igbt
 
關於意法半導體
意法半導體(STMicroelectronics;ST)是全球領先的半導體解決方案供應商,為感測及功率技術與多媒體融合應用領域提供創新的解決方案。從能源管理和節能技術,到數位信任和資料安全,從醫療健身設備,到智慧型消費性電子,從家電、汽車,到辦公設備,從工作到娛樂,意法半導體的微電子元件技術無所不在,在豐富人們的生活方面發揮著積極、創新的作用。意法半導體代表著科技帶動智慧生活(life.augmented)的理念。
 
意法半導體2013年淨收入80.8億美元。詳情請瀏覽意法半導體公司網站www.st.com。 

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