2015年7月8日--凌力爾特(Linear Technology Corporation)日前推出LTPoE++™、PoE +和相容於PoE的受電裝置（PD）介面控制器LT4276，主要應用為要求2W至90W電源應用。LT4276 整合了 PD 控制器及隔離的切換穩壓器控制器，可同步操作於順向或返馳架構，並具備輔助電源支援。此整合透過縮減零件數及板面空間而得以簡化前端 PD的設計，使 LT4276A (LTPoE++)、 LT4276B (PoE+) 及 LT4276C (PoE) 可透過單一IC高效率地提供電源至 PD 負載。
凌力爾特的LTPoE++ 標準透過將功率預算擴展成包含四種不同的功率位準（38.7W、52.7W、70W和90W）而延展了對於今日新型高功率需求應用的支援，如微微蜂巢式基地台 (picocell)、指示標誌和高熱戶外攝影機。
不同於整合功率MOSFET的傳統PD控制器，LT4276透過控制外部MOSFET以大幅降低整體PD熱損，並達到最大功率效率，這對於更高功率位準相當重要。此創新方式可讓使用者依照應用的特定散熱及效率需求決定MOSFET，必要時可使用低導通阻抗的 30mΩ RDS(ON) MOSFET。100V 額定輸入電壓代表著 LT4276 的強固性，並保護 PD免受常見的乙太網路線突波影響。
LT4276具備工業和延展性溫度等級版本，可分別支援-40°C至85°C以及-40°C至125°C的操作接面溫度範圍，該元件採用小型、符合RoHS標準的28接腳4mm x 5mm QFN封裝。以千顆量購計之單價為2.25美元起。LT4276提供對於凌力爾特現有PD產品的升級路徑，包括了LTC4275 LTPoE++ PD 控制器及對於任何凌力爾特最新PSE控制器的無縫連接，包括單埠LTC4274、4埠LTC4266、8埠 LTC4290/71晶片組以及12埠LTC4270/71晶片組。 LT4276 同樣可與 LT4321 理想二極體橋接器控制器搭配，以提供最高的功率並降低PD熱損。如需更多資訊，請參閱http://www.linear.com/LTPoE++
LT4276特性摘要
• IEEE 802.3af/at 以及 LTPoE++90W受電裝置 (PD)控制器具備順向及返馳控制器
• LT4276A 支援以下所有標準:
o LTPoE++ 38.7W, 52.7W, 70W & 90W
o 符合IEEE 802.3at 25.5W規範
o 符合IEEE 802.3af 至13W規範
• LT4276B 符合 IEEE 802.3at/af 規範
• LT4276C 符合 IEEE 802.3af 規範
• 卓越的突波保護(100V 絕對最大值)
• 寬廣的接面溫度範圍 (–40°C 至 125°C)
• 可設定輔助功率支援至9V
• 無需光隔離器以進行返馳操作
• 外部Hot Swap™ N通道MOSFET以達到最低功耗和最高系統效率
• >94% 端對端效率具備 LT4321 理想二極體橋接器
• 供貨28接腳 4mm x 5mm QFN 封裝
※相關美金報價資訊僅供參考，各地價格因稅及匯率等影響而異，詳情請洽各分公司。
關於凌力爾特
凌力爾特(Linear Technology Corporation )為 S&P 500 公司之一，三十年來致力為全球主要公司設計、製造及行銷廣泛的高效類比IC，該公司的產品在類比世界和數位電子產品間提供了關鍵的銜接，包括通訊、網路、工業、汽車、運算、醫療、儀器、消費性，以及軍事和航太系統。凌力爾特之產品涵蓋電源管理、資料轉換、訊號處理、RF和介面IC、µModule子系統，以及無線感測網路產品。如需更多資訊請參閱www.linear.com
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