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EPC eGaN®技術在性能及成本上實現質的飛躍

本文作者：宜普電源點擊： 2017-03-17 10:54

前言：

EPC公司宣佈推出EPC2045及EPC2047氮化鎵場效應電晶體（eGaN®FET），對比前一代的產品，這些電晶體的尺寸減半，而且性能顯著提升。

2017年3月15日--全球增强型氮化鎵電晶體領袖廠商、致力於開發創新的矽基功率場效應電晶體（eGaN FET）及積體電路的宜普電源轉換公司（EPC）宣佈推出全新的EPC2045（7 mΩ、100 V）及EPC2047（10 mΩ、200 V）電晶體，在提升產品性能的同時也可以降低成本。100 V的EPC2045應用於開放式服務器架構以實現48 V至負載的單級電源轉換、負載點（POL）轉換器、USB-C及雷射雷達（LiDAR）等應用。200 V的EPC2047的應用例子包括無綫充電、多級AC/DC電源供電、機械人應用及太陽能微型逆變器。

100 V、7 mΩ的EPC2045在性能/成本上繼續擴大與等效矽基功率MOSFET的績效差距。與前一代EPC2001C eGaN FET相比，EPC2045的晶片尺寸減半。而200 V、10 mΩ的EPC2047 eGaN FET的尺寸也是減半，如果與等效矽基MOSFET相比，它的尺寸減小達15倍。

設計師現在可以同時實現更小型化和性能更高的元件！ eGaN產品採用晶片級封裝，比MOSFET使用塑膠封裝可以更有效地散熱，這是由於使用晶片級封裝的元件可以直接把熱量傳遞至環境，而MOSFET晶片的熱量則聚集在塑膠封裝內。

EPC公司首席執行官兼共同創辦人Alex Lidow稱：「我們非常高興利用創新的氮化鎵技術，開發出這些正在改變半導體行業發展的氮化鎵場效應電晶體（eGaN FET）。」Alex繼續說道：「面向目前採用MOSFET技術的各種應用，這些全新eGaN產品展示出EPC及其氮化鎵電晶體技術如何提升產品的性能之同時能够降價。此外，我們將繼續發展氮化鎵技術以推動全新矽基元件所不能够支援的終端用戶應用的出現。這些全新電晶體也印證了氮化鎵與MOSFET技術在性能及成本方面的績效差距正在逐漸擴大。」

此外，我們也爲工程師提供3塊開發板以幫助工程師容易對EPC2045及EPC2047的性能進行評估，包括內含100 V的EPC2045電晶體的開發板（（EPC9078及EPC9080）和內含200 V的EPC2047的開發板（EPC9081）。

eGaN產品發展進入“良性循環”（virtuous cycle）的軌度
氮化鎵製程的優勢是氮化鎵元件比等效矽基元件具備低很多的電容，因此可以在更高頻、相同的阻抗及額定電壓下，實現更低的閘極驅動損耗及更低的開關損耗。與最好的等效MOSFET相比，EPC2045工作在48 V–5 V電源轉換、500 kHz開關頻率時，功耗降低30%及效率提升2.5%。

與矽基MOSFET相反的是，eGaN FET雖然小型很多，但它的開關性能更高，代表eGaN產品的前景是該技術進入“良性循環”的軌度，預期氮化鎵元件將會繼續小型化而其性能可以更高。

我們看到這些全新產品在性能、尺寸及成本上的改進是由於利用了創新的方法，當擊穿時在汲極區域減弱電場，並且同時大幅減少陷阱，使之所俘獲的電子減少。

價格及供貨
EPC2045（100 V、7mΩ）電晶體在批量爲1,000片時的單價爲2.66美元。EPC2047（200 V、10 mΩ）批量爲1,000片時的單價爲4.63美元。每塊開發板的單價爲118.25美元。各電晶體及開發板都可以立即從Digikey公司購買，網址爲http://www.digikey.com/Suppliers/us/Efficient-Power-Conversion.page?lang=en。

宜普電源轉換公司簡介
宜普電源轉換公司是基於增强型氮化鎵的功率管理元件的領先供應商，爲首家公司推出替代功率MOSFET元件的矽基增強型氮化鎵(eGaN)場效應電晶體，其目標應用包括直流-直流轉換器、無線電源傳送、波峰追蹤、射頻傳送、功率逆變器、雷射雷達（LiDAR）及D類音頻放大器等應用，元件性能比最好的矽功率MOSFET元件高出很多倍。此外，宜普公司正在擴大基於eGaN IC的產品系列，爲客戶提供進一步節省佔板面積、節能及節省成本的解決方案。詳情請訪問我們的網站，網址爲www.epc-co.com.tw 。

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