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東芝針對行動裝置和消費應用推出業界領先小型封裝N-channel MOSFET驅動IC

本文作者：東芝電子點擊： 2017-10-17 09:13

前言：

內建保護功能並適合快速充電和其他大電流電源應用

2017年9月28日--東芝電子元件及儲存裝置株式會社今日(9月28日)宣布推出兩款TCK401G（高電位作動[1]）和TCK402G（低電位作動[2]）N-channel MOSFET驅動IC，該產品支援最高可達28V的輸入電壓，適合快速充電和需要大電流電源的其他應用。新MOSFET驅動IC的量產出貨即日啟動。

此兩款IC具備多種內建保護功能，包括過壓保護、浪湧電流抑制和自動輸出放電功能，但依然採用業界領先的WCSP6E小型封裝，尺寸為0.8mm × 1.2mm × 0.55mm（標準值）[3]。

可利用一個配有外部N-channel MOSFET的驅動器實現高效率電源電路，其中該MOSFET具備適合於目標應用的最大額定電壓和導通電阻。例如，新型MOSFET驅動器和低導通電阻SSM6K513NU MOSFET相結合適合於行動裝置和消費應用，其可在較小空間內建構100W等級電源電路。

應用領域

 行動裝置

 消費型設備

產品特點

1. 低靜態電流: IB(ON1) = 0.34μA（標準值）

2. 高紋波抑制比: R.R.= 70dB（標準值）

3. 高速負載暫態回應: ⊿VOUT = 60mV（標準值）

主要規格

項目 (T_a=25℃)			TCK401G (高電位作動)	TCK402G (低電位作動)
絕對最大額定值
	輸入電壓 V_IN (V)		40
電器特性
	輸入工作電壓 V_{IN_opr} (V)		2.7 to 28
	輸入靜態電流 I_Q(ON) typ. (μA) @ V_IN=5 V		121
	閘極驅動電壓 V_GS typ (V)	V_IN = 3 V	4
		V_IN = 5 V	6.5
		V_IN = 9 V	6.5
		12V≦V_IN≦28V	6.5
	V_GATE ON time t_ON typ (ms) ^[4] @V_IN=5V, V_GATE=6V, C_GATE=2000pF		0.58
	V_GATE OFF time t_OFF typ (μs) ^[4] @V_IN=5V, V_GATE=0.5V,C_GATE=2000pF		16.6

備註：

[1] 當模式控制輸入端子處於高態時，則外部MOSFET導通。當模式控制輸入端子處於低態時，則外部MOSFET關斷。

[2] 當模式控制輸入端子處於低態時，則外部MOSFET導通。當模式控制輸入端子處於高態時，則外部MOSFET關斷。

[3] 一種N通道MOSFET驅動IC，截至2017年9月27日。東芝電子元件及儲存裝置株式會社調查。

[4] 自VCT達到VIH值一半之時起，VGATE達到規定值所耗時間。

台灣東芝電子零組件股份有限公司 (TET) 簡介

台灣東芝電子零組件股份有限公司(Toshiba Electronic Components Taiwan Corporation)，負責東芝在台灣、中國大陸、港澳、東南亞和南亞地區等國家的儲存產品及台灣半導體的業務推廣及支援。台灣東芝電子零組件股份有限公司為筆記型電腦代工廠商、企業級伺服器儲存商及通路代理商的最佳合作夥伴，並以提供廠商最好的服務、最尖端的科技及最高品質的產品為宗旨。更多資訊，請參考東芝網站：http://toshiba.semicon-storage.com/tw/top.html

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