2013年12月13日--意法半導體先進的V系列600V溝槽式場截止(trench-gate field-stop)型IGBT[1]擁有平順、無曳尾(tail-less)電流的關機特性,飽和電壓(saturation voltage)更是低達1.8V,最大工作結溫高達175°C,這些優勢將有助於開發人員提高系統能效和開關頻率,並簡化散熱設計和電磁干擾[2]設計。
透過消除IGBT固有的關機曳尾電流特性,意法半導體的新元件提高了開關能效與最大開關頻率。新產品的裸片非常薄,有助於提高開關和散熱性能。意法半導體獨有且經最佳化的溝槽式(trench-gate)場截止型(field-stop)製程降低了熱阻,最高結溫高達175°C,同時實現了對飽和電壓等參數的嚴格控制,允許多個IGBT安全平行,進而提高電流密度和通態能效。
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