2014年7月7日--氮化鎵（eGaN®）功率電晶體繼續爲電源轉換應用設定業界領先的性能基準。由於氮化鎵器件具有更低的導通電阻、更低的電容、更大的電流及卓越的熱性能，因此使得功率轉換器可實現超過98%的效率。
宜普電源轉換公司宣佈推出六個新一代功率電晶體及相關的開發板。這些由30 V至200 V的産品在很多應用可大大降低導通電阻（RDS(on)）並可增强輸出電流性能，例如具高功率密度的直流-直流轉換器、負載點（POL）轉換器、直流-直流及交流-直流轉換器的同步整流器、馬達驅動器、發光二極管照明及工業自動化等廣闊應用。
全新氮化鎵場效應電晶體(eGaN®FET)及相關開發板
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宜普
産品型號
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電壓
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最高導通電阻RDS(on) (mΩ)
(VGS = 5 V)
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最小脉衝電流峰值Peak Pulsed
ID (A)(25°C,
脉衝電流導通時間Tpulse = 300 µs)
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TJ (°C)
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半橋開發板
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標準
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低占空比
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30
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1.3
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590
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150
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40
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1.5
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550
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150
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60
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2
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470
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150
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80
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2.5
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420
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150
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100
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3.2
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360
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150
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200
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43
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42
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125
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• 更低導通電阻(RDS(on))
由於全新氮化鎵場效應電晶體系列可降低一半導通電阻，因此可支持大電流、高功率密度應用。
由於全新氮化鎵場效應電晶體系列可降低一半導通電阻，因此可支持大電流、高功率密度應用。
• 進一步改善品質因數（FOM）
與前代器件相比，由於最新一代氮化鎵場效應電晶體把硬開關FOM降低一半，因此在高頻功率轉換應用可進一步提高開關性能。
與前代器件相比，由於最新一代氮化鎵場效應電晶體把硬開關FOM降低一半，因此在高頻功率轉換應用可進一步提高開關性能。
• 擴展電壓範圍
由於可受惠於採用氮化鎵場效應電晶體的應用擴展至30 V的應用，因此可支持更多應用包括更高功率的直流-直流轉換器、負載點轉換器以及隔離型電源供電、電腦及伺服器內的同步整流器。
由於可受惠於採用氮化鎵場效應電晶體的應用擴展至30 V的應用，因此可支持更多應用包括更高功率的直流-直流轉換器、負載點轉換器以及隔離型電源供電、電腦及伺服器內的同步整流器。
• 更優越的熱性能
由於全新第四代氮化鎵場效應電晶體産品系列在溫度方面具增强了的性能並配備更優越的晶片版圖，因此改善了其熱性能及電學性能，使得氮化鎵器件在任何條件下可在更高功率工作。
展示結果表明氮化鎵器件可實現更高電源轉換效率
爲了展示這些全新氮化鎵場效應電晶體的更高性能，我們構置了兩個降壓轉換器。在一個12 V轉1.2 V 的直流－直流負載點轉換器，EPC9018開發板采用了30 V的EPC2023場效應電晶體（用作同步整流器）及40 V的EPC2015(用作控制開關)。
這個12 V轉1.2 V 、40 A的負載點轉換器工作在1 MHz的開關頻率下，與先進矽MOSFET模組相比，採用最新一代氮化鎵功率電晶體的轉換器可實現超過91.5%的效率並展示了氮化鎵器件在電路中的優越性能。
EPC9019開發板是一個48 V轉12 V的轉換器並採用了80 V的EPC2021氮化鎵場效應電晶體（用作同步整流器開關）及100 V的EPC2001 氮化鎵場效應電晶體（用作控制開關)。這個48 V轉12 V 、40 A非隔離型直流－直流中間總綫轉換器工作在300 KHz的開關頻率，與採用先進矽MOSFET器件的等效轉換器相比，採用最新一代氮化鎵功率電晶體的轉換器可實現超過98%的效率。
開發板
爲了簡化對全新高性能氮化鎵場效應電晶體進行評估，我們推出開發板以支持客戶在電路中對每一種全新産品易于進行評估（請參看以上列表）。這些開發板在單板上已包含所有重要元件並易于與任何目前的轉換器連接。
EPC9014、EPC9031 至EPC9034的所有開發板都是半橋配置並帶板載閘極驅動器及採用氮化鎵場效應電晶體。所有開發板的尺寸爲2英寸 x 1.5英寸，含兩個氮化鎵場效應電晶體、使用德州儀器公司的閘極驅動器(LM5113)、電源及旁路電容。每一塊板已配備所有重要元件及版圖，可實現最優開關性能。
宜普電源轉換公司也提供EPC9018及EPC9019開發板，使得工程師易於在電路中對氮化鎵場效應電晶體的性能進行評估。
價格及供貨
産品
EPC2019至EPC2024的各個功率電晶體在一千批量時的單價爲3.14美元，可立即透過Digi-Key公司訂購，網址爲
http://www.digikey.tw/Suppliers/tw/Efficient-Power-Conversion.page?lang=zh。
http://www.digikey.tw/Suppliers/tw/Efficient-Power-Conversion.page?lang=zh。
開發板
各塊相關的開關板的單價爲104.4美元起，可立即透過Digi-Key公司訂購，網址爲
http://www.digikey.tw/Suppliers/tw/Efficient-Power-Conversion.page?lang=zh。
更多信息
採用氮化鎵場效應電晶體的設計信息及技術支持
• 下載宜普公司的氮化鎵場效應電晶體（eGaN FET）的數據表：http://epc-co.com/epc/tw/產品/eGan場效應電晶體.aspx。
• 下載關於開發板的速查指南: http://epc-co.com/epc/tw/產品/演示板.aspx。
• 「第四代氮化鎵場效應電晶體在性能上拋離日益陳舊的ＭＯＳＦＥＴ器件」應用筆記：http://bit.ly/EPCAN017 。
• 觀看關於第四代産品的視頻： http://epc-co.com/epc/tw/設計支援/培訓視頻/Generation4eGaNFETs.aspx。
• 下載關於開發板的速查指南: http://epc-co.com/epc/tw/產品/演示板.aspx。
• 「第四代氮化鎵場效應電晶體在性能上拋離日益陳舊的ＭＯＳＦＥＴ器件」應用筆記：http://bit.ly/EPCAN017 。
• 觀看關於第四代産品的視頻： http://epc-co.com/epc/tw/設計支援/培訓視頻/Generation4eGaNFETs.aspx。
宜普電源轉換公司簡介
宜普電源轉換公司是基於增強型氮化鎵的功率管理器件的領先供應商，為首家公司推出替代功率MOSFET器件的矽基增強型氮化鎵(eGaN)場效應電晶體，其目標應用包括直流-直流轉換器、無線電源傳送、波峰追蹤、射頻傳送、太陽能微型逆變器、光學遙感技術（LiDAR）及D類音訊放大器等應用，器件性能比最好的矽功率MOSFET高出很多倍。詳情請訪問我們的網站www.epc-co.com.tw 。
客戶可以在我們的網頁註冊(http://bit.ly/EPCupdates)，定期收取EPC公司的最新產品資訊。
