當前位置: 主頁 > 新聞 >
 

英飛凌與 Panasonic 將為常關型 600V 氮化鎵 (GaN)功率半導體建立雙供應源

本文作者:英飛凌       點擊: 2015-03-17 14:34
前言:
 
2015年3月17日--英飛凌科技股份有限公司 (FSE:IFX/OTCQX:IFNNY) 與 Panasonic 公司 (TSE:6752) 宣步雙方將共同開發以 Panasonic 常關型 (強化模式) 矽基板氮化鎵電晶體結構為基礎的氮化鎵 (GaN) 產品,並整合至英飛凌的表面黏著裝置 (SMD) 封裝。Panasonic 已提供英飛凌上述常關型氮化鎵電晶體結構的授權。此次合作將使雙方皆可製造高效能氮化鎵裝置。客戶亦將受益於取得封裝相容的氮化鎵功率開關的雙重供貨來源,這是目前其他矽基板氮化鎵裝置皆無法提供的優勢。雙方已同意不進一步揭示合約的詳細資訊,並將於美國北卡羅萊納州夏洛特市舉行的應用電力電子研討會暨展覽會 (APEC,2015 年 3 月 15 - 19 日) 中,首次展示採 DSO封裝的 600V 70mΩ 產品。
 
矽基板氮化鎵是廣受矚目的次世代化合物半導體技術之一,因為它可達到高功率密度與小體積 (例如用於電源供應與轉換器),同時也是提升能源效率的重要關鍵元件。一般而言,採矽基板氮化鎵技術的功率裝置可用於廣泛的用途,從高電壓工業應用 (如伺服器場的電源供應器 (所展示的 600V 氮化鎵裝置的應用之一)),到低電壓應用 (如DCDC轉換器 (例如高階消費性產品))。根據 IHS 市場研究報告,與矽基板氮化鎵相關的功率半導體市場的年複合成長率 (CAGR) 將逾 50%,預期將由 2014 年的 1,500 萬美元成長至 2023 年的 8 億美元。
 
英飛凌電源管理及多元電子事業處總裁 Andreas Urschitz 表示:「英飛凌致力於為客戶提供各種最佳的產品與技術,包括以氮化鎵為基礎,穩定且可靠的功率裝置。我們相信結合矽基板氮化鎵開關的強化模式與我們相關的驅動程式以及最佳化的驅動機制,將可為我們的客戶提供極高的價值,而且雙重供貨來源的概念將協助客戶管理並提供穩定的供應鏈。」
 
Panasonic Semiconductor Solutions 公司總裁 Toru Nishida 表示:「我們充分運用了在化合物半導體的經驗,開發出常關型氮化鎵功率技術,它具有簡單組態及易於控制動態的特性。我們期待透過將我們的氮化鎵功率技術中的常關型氮化鎵電晶體結構授權予英飛凌,能夠進一步加速推展氮化鎵功率裝置。我們將持續藉由創新我們的常關型氮化鎵技術,提供滿足客戶需求的解決方案。」
 
關於英飛凌
全球半導體領導廠商英飛凌 (Infineon Technologies AG) 提供各式半導體和系統方案,以因應現今社會的三大挑戰,包括能源效率 (energy efficiency)、移動性 (mobility)與安全性(security)。2014會計年度(截至9月底) 公司營收為43億歐元,全球員工約為29,800名。2015 年1月,英飛凌併購功率管理技術領導廠商美商國際整流器公司(International Rectifier,2014年會計年度營收為 11億美元,員工人數約4,200名)。
 
英飛凌於德國法蘭克福證券交易所上市(交易代碼:IFX),並於美國櫃檯買賣中心OTCQX International Premier 掛牌(交易代碼:IFNNY)。
 
關於 Panasonic
Panasonic 公司是電子技術與解決方案開發與工程設計的全球領導業者,主要服務的客戶涵蓋住宅、非住宅、行動與個人應用等領域。自 1918 年成立以來,該公司已擴展至全球,目前在全世界經營約 500 家企業,至 2014 年 3 月 31 日為止的年度銷售額達到 7.74 兆日圓。該公司致力於透過內部各種技術的創新以追求新的價值,為客戶努力創造更美好的生活與更理想的世界。有關 Panasonic 的詳細資訊,請參閱該公司網站
http://panasonic.net
 

電子郵件:look@compotechasia.com

聯繫電話:886-2-27201789       分機請撥:11