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應用材料公司張崇平博士榮膺IEEE院士

本文作者:應用材料       點擊: 2015-12-16 10:09
前言:
在兩項最具挑戰的CMOS微縮領域上,因傑出技術貢獻而獲殊榮
2015年12月16日--應用材料公司今日宣布,該公司張崇平博士榮膺2016年IEEE(國際電機電子工程師學會)院士,張博士負責公司與大學及產業聯盟的策略性對外研究業務。張博士因研究「CMOS技術的替代柵極和淺溝槽隔離」貢獻卓著,其研究對積體電路(IC)製造的進展深具影響。IEEE院士評等是IEEE董事會依會員個人在IEEE各個工程領域的傑出記錄予以頒贈。 IEEE院士是最高的會員資格,被科技界視為一項崇高殊榮,也是重要的事業成就。每年所評選出的院士總數不能超過總投票成員的千分之一。
 


應用材料公司資深副總裁暨技術長歐姆.納拉馬蘇(Om Nalamasu)博士表示:「張博士卓越的研究協助業界於CMOS微縮技術採行新方法,對我們每天所使用的電子產品在效能、功能及尺寸上,貢獻良多。張博士獲此殊榮乃實至名歸,同時感謝他帶領應用材料公司與大學及聯盟各種協同合作的努力。」
 
張博士擁有的傑出技術貢獻,以及豐富的半導體業界服務橫跨近三十年。在貝爾實驗室工作期間,他所帶領的先驅性研究,協助業界中通過CMOS技術史上最顯著的電晶體之一,及至今日,幾乎所有的CMOS邏輯元件,包括鰭式電晶體(FinFET),皆採用替代柵極技術。此外,張博士在早期的研究職涯對沉積、蝕刻與先進電漿處理技術也貢獻良多。
 
張博士在另一重要領域即先進淺溝槽隔離(STI)也有顯著貢獻。他早期的一項詳盡研究顯示,改變溝槽頂部角的形狀,有助於解決缺陷密度、漏電流和元件的臨界電壓控制等的嚴重問題。該項研究對STI 在主流CMOS製造的穩健性和世代可延續性具有長期影響,在某種程度上,甚至也影響近年所問世的重大CMOS製程技術,多也引用張博士及其團隊所開發的STI頂角工程技術。
 
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