2016年10月11日--宏微科技 ”HN” 系列1200V IGBT模組採用最新一代英飛凌高速型IGBT晶片，是少數市場上僅有的高速型IGBT模組，經由適當的封裝設計，該產品系列模組提供給客戶50A~800A不等的多款規格選擇，採用本系列模組的客戶，皆證實該模組能有效的增加終端設備的整體效率。
做為新興的電力電子半導體領導廠家，宏微科技發現市面上僅有極少數可供選擇的高速型IGBT大功率模組，絕大多數皆為10年前或甚至更早發表之產品，主要原因為頻率需要操作在20~200Khz的大功率應用設備並不甚普遍，IGBT模組廠商在此一領域相對較無計劃推出新產品方案。有鑑於此，宏微科技決定使用英飛凌 ”HS3”高速型IGBT晶片，進一步設計成大功率模組產品。
相較於市面上傳統的高速型IGBT模組，宏微科技1200V ”HN” 系列IGBT模組有以下幾項特點：
• 晶片為最新溝槽式場截止型 (Trench-Field-Stop) 結構設計，Tj可高達175°C
• 更低的Vce壓降，有效降低30%以上的導通損耗 (Conduction Loss)
• 支持20~200Khz的大功率高頻開關應用，同時保有極小的EMI雜訊干擾
• 更高的功率密度，幫助客戶完成更小體積的產品設計
• 市面上總損耗最低的高速型大功率IGBT模組
耀迅國際科技業務副總兼宏微國際業務辦公室負責人馮耀賢表示：「”HN” 系列高速型IGBT模組為行業上唯一使用溝槽式場截止型晶片的模組產品，該型晶片過去只封裝成IGBT單管 (Discrete) 型，很多客戶只能採用多個單管並聯方式，來達到大功率的電路設計，徒增繁瑣組裝及減低可靠度的困擾，宏微的高速型IGBT模組有效的幫助客戶簡化設計，同時增加客戶產品的運轉效率。」
常見的大功率高頻應用包括：高週波感應加熱裝置、逆變式電銲機、新能源逆變器、高頻UPS，及高性能汽車充電樁等，配合這些應用，常用的 ”HN” 系列1200V IGBT模組規格有50A、100A、150A、200A、300A、400A半橋線路模組，以及300A、400A、800A一單元模組。
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範例產品規格連結:
http://www.effintech.com/attachdir/pdfdoc/MMG100S120B6HN.PDF
http://www.effintech.com/attachdir/pdfdoc/MMG300D120B6HN.pdf
http://www.effintech.com/attachdir/pdfdoc/MMG800K120U6HN.pdf
http://www.effintech.com/attachdir/pdfdoc/MMG100S120B6HN.PDF
http://www.effintech.com/attachdir/pdfdoc/MMG300D120B6HN.pdf
http://www.effintech.com/attachdir/pdfdoc/MMG800K120U6HN.pdf
