2016年11月16日--邏輯非揮發性記憶體 (Logic-Based Non-Volatile Memory，Logic NVM) 矽智財領導廠商力旺電子今日宣布，其具安全特徵的NeoFuse矽智財已成功在台積公司10奈米鰭式電晶體(FinFET)製程完成驗證，採用矽智財所需的相關套件亦已可供客戶產品導入。
在先進製程中，高階晶片對安全性的考量使得Logic NVM矽智財具備不被攻擊的特性更為重要，為了達到此目的，力旺電子於台積公司10奈米FinFET製程驗證的NeoFuse矽智財具備多種安全防護的特性以防止被故障植入(Fault Injection)、資料竄改(Data Tampering)、邊信道攻擊(Side Channel Attack)等方式攻擊。另外，讀取電壓範圍允許超過百分之二十的變動彈性使客戶在設計上更為靈活，也更能節省功耗。
NeoFuse矽智財在16奈米精簡型FinFET(16nm FinFET Compact，16FFC)製程與10奈米FinFET製程的驗證將分別於2017年初與下半年完成。力旺電子除了在台積公司的尖端平台廣泛佈建Logic NVM解決方案外，更致力在超低功耗(ULP)、CMOS影像感測元件(CIS)、嵌入式快閃記憶體(eFlash)、高壓(HV)、功率積體電路製程整合技術(BCD)等各式特殊製程平台開發NeoFuse技術。迄今，力旺電子的NeoFuse技術已在全世界70個製程平台中被採用，其中27個已成功取得驗證。
過去十三年來，力旺電子的矽智財已成功佈建在台積公司多項技術平台中，展望未來，力旺電子將與台積公司保持更加緊密的合作關係，發展更多可應用於台積公司各製程平台之矽智財。
關於力旺電子：
力旺電子(股票代碼:3529)成立於2000年8月，專注於邏輯製程嵌入式非揮發性記憶體矽智財開發。自成立迄今，力旺電子投入研發自有創新技術，開發出NeoBit(一次性與多次性讀寫編程元件)、NeoFuse(一次性與多次性讀寫編程元件)、NeoMTP(一千次以上重複讀寫編程元件)、NeoFlash(一萬次以上重複讀寫編程元件)、NeoEE(十萬次以上重複讀寫編程元件)等領先性產品，並持續發展先進技術，致力於提供客戶廣泛的矽智財技術服務、非揮發性記憶體元件與嵌入式記憶體應用等，為全方位之嵌入式非揮發性記憶體矽智財供應商。如需取得更多力旺相關資料，請參見官方網站：www.ememory.com.tw.
力旺電子(股票代碼:3529)成立於2000年8月，專注於邏輯製程嵌入式非揮發性記憶體矽智財開發。自成立迄今，力旺電子投入研發自有創新技術，開發出NeoBit(一次性與多次性讀寫編程元件)、NeoFuse(一次性與多次性讀寫編程元件)、NeoMTP(一千次以上重複讀寫編程元件)、NeoFlash(一萬次以上重複讀寫編程元件)、NeoEE(十萬次以上重複讀寫編程元件)等領先性產品，並持續發展先進技術，致力於提供客戶廣泛的矽智財技術服務、非揮發性記憶體元件與嵌入式記憶體應用等，為全方位之嵌入式非揮發性記憶體矽智財供應商。如需取得更多力旺相關資料，請參見官方網站：www.ememory.com.tw.
