2018年7月31日--為因應無線充電和USB Type C客戶之需求，力旺電子今天宣布其嵌入式可多次編寫記憶體矽智財NeoMTP已於TowerJazz 0.18um BCD 製程平台完成可靠度驗證，即日起可供使用。力旺在專攻電源管理應用的BCD製程又完成一重大布局。
除了NeoMTP外，力旺也宣布近日會與TowerJazz合作，在65nm 5V RF CMOS製程開發可一次編寫記憶體矽智財NeoBit設計，以滿足RF和5G等通訊應用之需求。
力旺向來是電源管理IC的嵌入式非揮發性記憶體(embedded Non-volatile Memory)矽智財龍頭。為因應無線充電和Type C客戶的需求，力旺已陸續在全球各大晶圓廠BCD製程建構其eNVM矽智財解決方案。
此次力旺在TowerJazz 0.18um 1.8V/5V BCD製程通過驗證的NeoMTP矽智財有幾項重要技術突破，包括更寬廣的操作電壓區間、車規等級的耐熱性，以及記憶體在反覆編寫1,000次情況下還能維持10年以上的資料保留時間。這些突破都有助IC設計廠達到車規的高溫、高耐受度要求。
力旺電子業務發展副總經理何明洲表示，力旺矽智財向來是電源管理業界的第一選擇，我們最清楚、也最有能力滿足無線充電和Type C客戶的需求。他強調，這次TowerJazz BCD平台驗證的NeoMTP矽智財有不少技術突破，可讓使用的客戶在無線充電和TypeC等快速成長的市場享有明顯的競爭優勢。
IC設計廠商使用NeoMTP矽智財不僅可延長產品生命週期，而且可擴大產品之應用範圍。以無線充電器為例，NeoMTP允許頻繁修改原先內設之電源開關順序、輸出電流及溫度控制等規格參數；此外，NeoMTP也可以讓USB Type C進行多次軟體及產品功能更新。
力旺的NeoMTP是業界最具成本效益的可多次編寫eNVM解決方案，此方案可達到車用等應用的耐久度要求，成本卻遠低於嵌入式快閃記憶體。此外，也有愈來愈多IC設計公司基於效能和安全的考量，改用NeoMTP取代外掛式EEPROM。
力旺的NeoMTP是業界最具成本效益的可多次編寫eNVM解決方案，此方案可達到車用等應用的耐久度要求，成本卻遠低於嵌入式快閃記憶體。此外，也有愈來愈多IC設計公司基於效能和安全的考量，改用NeoMTP取代外掛式EEPROM。
力旺此次於TowerJazz BCD 製程驗證的NeoMTP矽智財可在車規要求的溫度區間(-40°C~150°C)編寫達1,000次，同時可在125°的高溫下維持10年以上的資料保存時間。此外，這項矽智財還擴大操作電壓區間至2.6V-5.5V，並有低功耗、高速讀取等功能。
力旺電子簡介
力旺電子(3529)是全球第七大半導體矽智財供應商，專精嵌入式Hard IP設計。自2000年成立以來，力旺持續提供全球1,300多家晶圓廠、整合元件廠和IC設計公司一流的矽智財解決方案。自台積公司2010年創設「IP Partner Award」以來，力旺每年都以卓越的IP設計及服務獲得此一獎項的肯定。
力旺在全球嵌入式非揮發性記憶體市場(embedded Non-volatile Memory)位居領導地位，其eNVM解決方案廣泛布建於全球主要晶圓廠製程，涵蓋製程技術之廣位居業界之冠。此外，力旺也領先業界以矽晶圓生物特徵開發其特有的晶片安全矽智財。
力旺的eNVM 矽智財系列包括可一次編寫記憶體 (NeoBit/NeoFuse)、可多次編寫記憶體 (NeoMTP/NeoFlash/NeoEE)以及晶片安全矽智財NeoPUF。
