埃賦隆半導體（Ampleon）今天宣佈推出一款750W的Gen9HV LDMOS RF功率電晶體BLF13H9L750P，專門設計用於運作在1.3GHz頻譜的粒子加速器應用。該電晶體採用陶瓷4引腳SOT539形式並採用法蘭螺栓固定封裝（BLF13H9L750P）和法蘭無耳封裝（BLF13H9LS750P），可提供優於62%、據信是同類產品中最高的效率。憑藉如此高的工作效率規格，該電晶體與其他固態競爭器件相比，將有助於實現顯著的功耗節省。此外，與基於速調管（klystron）和真空管放大器的老式裝置相比，固態方法所需的維護會少很多，生命週期更長並且所需的物理空間更少，因此可進一步降低運營成本。
BLF13H9L(S)750P電晶體還具有市場領先的17dB增益。埃賦隆半導體Gen9HV 50V LDMOS制程於2017年推出，可生產高度一致的電晶體，從而可確保客戶在生產過程中保持高度的可複製性。
關於埃賦隆半導體（Ampleon）：
埃賦隆半導體創立於2015年，在射頻功率領域擁有50年的領導地位，旨在發揮射頻領域資料和能量傳輸的全部潛力。埃賦隆半導體在全球擁有超過1,350名員工，致力於為客戶創造最佳價值。其創新而又一致的產品組合，可為諸如行動寬頻基礎設施、無線電和電視廣播、CO2雷射器和電漿、核磁共振成像（MRI）、粒子加速器、雷達和空中交通管制、非蜂巢式通訊、射頻烹飪和除霜、射頻加熱和電漿照明等廣泛應用提供產品和解決方案。欲瞭解有關該射頻功率領域全球領先合作夥伴的詳細資訊，請訪問www.ampleon.com。
