2018年10月22日--碳化矽（SiC）功率半導體製造商UnitedSiC宣布推出第3代1200V和650V SiC JFET，擴展了已有的獨特常開啟型SiC JFET產品組合。
這些零組件處於通常開啟狀態，採用零電壓閘極驅動，因而特別適用於非常快速動作、固態斷路器和電路保護等應用。在這些應用中，通常在沒有閘極電源情形下需要默認為導通狀態。這些零組件還可與Si-MOSFET串列使用，形成強大的「超級疊接」，可提供寬能帶間隙技術之所有優勢，具有極高運作電壓，並易於閘極驅動。新零組件還可用於電子負載、無線充電同步整流和低功率反激式轉換器中的電源開關，其中採用疊接配置的JFET可確保易於啟動。新零組件所面向的市場包括鐵路、電動飛機和牽引應用中的電路保護，以及高壓開關電源轉換等。
SiC JFET零組件能提供極佳的RDSA品質因數（基於晶片面積歸一化的導通電阻），在電路保護應用中具有低插入損耗。由於RDSON的正溫度係數和較為平坦之閘極閾值電壓對溫度曲線，這些零組件可以很容易平行使用。在以「線性」模式運作時，SiC JFET表現出較寬安全運作區域（SOA），而沒有其他技術易於受到的電流擁擠和形成電流絲極(current filament)等影響，因而特別適用於電子負載和電流限制器。 SiC JFET中不含閘極氧化物，因而也增強了抗輻射能力和總體牢固性等附加優勢。
這些零組件的製造採用UnitedSiC專有之6英寸晶圓製程，其中包括進階晶圓減薄（wafer-thinning）和晶片粘接（die-attach）技術，具有出色的結至外殼熱阻。
新發布的第三代零組件編號為UJ3N120070K3S（1200V/70mΩ）、UJ3N120035K3S（1200V/35mΩ）、UJ3N0650080K3S（650V/80mΩ）和UJ3N065025K3S（650V/25mΩ）。所有這些可選零組件均採用方便的TO-247-3L封裝。
UnitedSiC工程副總裁Anup Bhalla表示：「在你需要通常處於開啟、超級牢固的零組件時，UnitedSiC的SiC JFET可提供無與倫比之系統價值。隨著電力電子技術不斷發展，對電路保護的需求也在不斷增長。動作非常快速的斷路器可以簡化軌道牽引、船舶和越來越多的電動飛機等電源電路設計，而且在這些類型應用中，SiC JFET也是最簡單、最高效能的限流方案。
定價和供貨
UnitedSiC的第三代SiC JFET零組件以批量1000件計，起價為每片5.00美元，可在貿澤電子和其他當地渠道商處購買。
關於UnitedSiC
UnitedSiC開發創新的碳化矽場效應電晶體（FET）和二極體等功率半導體元件，為電動車充電系統、DC-DC轉換器和牽引驅動，以及電信/伺服器電源、可變速馬達驅動器和太陽能光伏逆變器等應用提供業界最佳的碳化矽效率和性能。
