2018年11月14日--先進半導體解決方案頂尖供應商瑞薩電子（TSE：6723）今日宣佈，推出一款創新的獵能型（energy-harvesting）嵌入式控制器，可以淘汰掉在IoT裝置中使用或更換電池的需求。這款新型嵌入式控制器，是以瑞薩突破性的SOTB™（silicon-on-thin-buried-oxide，矽晶薄氧化物埋層）製程技術為基礎開發而成，能夠極度的降低有效電流和待機電流消耗，這是以前傳統微控制器（MCU）無法實現的結合。以SOTB為基礎的嵌入式控制器，有著極低的電流準位，讓系統製造商能夠更進一步，透過獵取光照、振動和流體等環境中的能量源，完全淘汰產品對電池的需求。極低功耗和獵能技術的運用，帶動出一個全新的市場，由具有端點智慧化，免維護，且連接到IoT的感測裝置所組成，適用在工業、商業、住宅、農業、醫療保健和公共基礎設施，以及健康與健身的服飾、鞋類、可穿戴裝置、智慧手錶和無人機。瑞薩已經開始提供這款新的嵌入式控制器給測試版客戶。
瑞薩首款採用SOTB技術的商業化產品，R7F0E嵌入式控制器，是一款Arm® Cortex®型的32位元嵌入式控制器，能夠以高達64 MHz的頻率操作，快速處理局部的感測器資料，並執行複雜的分析和控制功能。R7F0E僅消耗20 μA/MHz的有效電流，150 nA的待機電流，約為傳統低功耗MCU的十分之一，這幾個領先業界的特性，讓R7F0E非常適合極低功耗和獵能技術的應用。
R7F0E化解了系統設計人員所面臨的許多挑戰，因為他們希望藉由有效的獵能功能，來建構具有成本效益的產品。具有獨特且可配置的獵能型控制器（Energy Harvest Controller，EHC）功能，可提升強固性，並儘量減少昂貴的外部元件。EHC可以直接連接到許多不同類型的環境能量源，例如太陽能、振動或壓電，同時在啟動時防止有害的湧浪電流。EHC還能管理外接電力儲存裝置的充電，例如超級電容器或可選配的可充電電池。R7F0E也能夠滿足其他考量極低功耗的系統。舉三個這樣的例子，包括：（1）可不斷感測和擷取外部類比訊號，因為14位元類比至數位轉換器（ADC）僅消耗3 uA電流，（2）可保留高達256 KB的SRAM資料內容，因為每KB 的SRAM僅消耗1 nA，以及（3）可藉著採用先進的低功耗硬體技術，提供包括旋轉、捲頁和著色在內的圖形資料轉換，因為只要使用Memory-In-Pixel1 LCD科技，來驅動外部顯示器，幾乎不需要用到電力來保留圖形。這幾個例子代表了R7F0E的設計人員對於細節的注重，用以滿足工程師的需求，因為工程師必須考慮到整個系統對極低功耗設計的要求。
瑞薩產業事業部執行副總裁兼總經理橫田善和（Yoshikazu Yokota）表示：「我很高興瑞薩達成這個里程碑，將我們的SOTB技術產品化，導入獵能技術，成為市場上第一種解決方案。」
「藉由汰除對電池，或是更換電池的需求，我們和客戶將迎向嶄新的市場。獵能技術將成為智慧化社會的必備科技，瑞薩可望領導和擴展這種技術，還有這個市場。瑞薩會繼續推動e-AI，以實現AI化的嵌入式裝置端點。展望未來，我們的SOTB技術，將擴展我們的使用者範圍，將電子AI和獵能技術相結合，將對我們的日常生活，產生非常巨大而正面的影響。」
R7F0E嵌入式控制器的主要特性
• CPU: Arm Cortex-M0+
• 工作頻率：最高32 MHz，強化模式（boost mode）下最高64 MHz
• 記憶體：最大1.5 MB快閃記憶體，256 KB SRAM
• 工作電壓為3.0V時的電流消耗：
o 有效電流：20μA/MHz
o 深度待機電流：150 nA，帶有即時時脈源和重置管理單元
o 軟體待機電流：400 nA，保留核心邏輯和32 kB SRAM資料、即時時脈源、重置管理單元
o SRAM資料保留，每KB的SRAM會消耗1nA，可加選到高達256KB
• 獵能型控制器（EHC）：用於直接而強固的連接到能量產生裝置，以及用於能量存放裝置的充電管理介面
• 類比至數位轉換器（ADC）：14位元、32KHz工作頻率、3uA功耗
• 圖形：2D圖形資料轉換和MIP顯示器介面
• 安全和加密：真亂數產生器、每顆R7F0E晶片唯一ID、AES加密加速
• CPU: Arm Cortex-M0+
• 工作頻率：最高32 MHz，強化模式（boost mode）下最高64 MHz
• 記憶體：最大1.5 MB快閃記憶體，256 KB SRAM
• 工作電壓為3.0V時的電流消耗：
o 有效電流：20μA/MHz
o 深度待機電流：150 nA，帶有即時時脈源和重置管理單元
o 軟體待機電流：400 nA，保留核心邏輯和32 kB SRAM資料、即時時脈源、重置管理單元
o SRAM資料保留，每KB的SRAM會消耗1nA，可加選到高達256KB
• 獵能型控制器（EHC）：用於直接而強固的連接到能量產生裝置，以及用於能量存放裝置的充電管理介面
• 類比至數位轉換器（ADC）：14位元、32KHz工作頻率、3uA功耗
• 圖形：2D圖形資料轉換和MIP顯示器介面
• 安全和加密：真亂數產生器、每顆R7F0E晶片唯一ID、AES加密加速
瑞薩推出全新的R7F0E嵌入式控制器，將擴展出具有不同特性和功能的獵能技術解決方案系列，以滿足許多極端低功耗應用的需求。瑞薩致力於通過其獵能技術，促進端點智慧化，以實現環保、智慧化的社會，在這種社會中，IoT裝置沒有電源或電池更換的問題，卻能夠創建更高水準的性能和功能。
關於瑞薩的SOTB製程技術
瑞薩原創的獨特SOTB製程技術，達成了有效電流和待機電流的巨幅降低，這在傳統的MCU製程技術中，通常會陷入一種取捨的困境，因而無法實現。在矽基板上，氧化物薄膜（BOX：buried oxide，氧化物埋層）埋藏在晶元基板上的薄矽層下面。由於薄矽層沒有雜質摻雜，使得BOX可以在低電壓下保持穩定的操作。因此，這些元件可以提供高計算性能和出色的功率效率。在此同時，利用反向偏壓電路控制BOX層下方矽基板的電位，以減少漏電流，可以進一步抑制待機模式的功耗。
瑞薩原創的獨特SOTB製程技術，達成了有效電流和待機電流的巨幅降低，這在傳統的MCU製程技術中，通常會陷入一種取捨的困境，因而無法實現。在矽基板上，氧化物薄膜（BOX：buried oxide，氧化物埋層）埋藏在晶元基板上的薄矽層下面。由於薄矽層沒有雜質摻雜，使得BOX可以在低電壓下保持穩定的操作。因此，這些元件可以提供高計算性能和出色的功率效率。在此同時，利用反向偏壓電路控制BOX層下方矽基板的電位，以減少漏電流，可以進一步抑制待機模式的功耗。
註1：MIP（memory-in-pixel，畫像素內嵌記憶體）LCD，是一種在待機期間，不需要電源來維持顯示畫像素的顯示裝置，因此非常適合極低功耗的應用。
供貨資訊
新型R7F0E嵌入式控制器的樣品，目前供貨給測試版客戶，一般客戶則計畫於2019年7月開始供貨。量產計畫於2019年10月開始。
新型R7F0E嵌入式控制器的樣品，目前供貨給測試版客戶，一般客戶則計畫於2019年7月開始供貨。量產計畫於2019年10月開始。
在electronica 2018展示
瑞薩將於11月13日至16日在2018年慕尼黑電子展（electronica）B4展覽館＃556號攤位上，展示幾款採用新型R7F0E嵌入式控制器的獵能技術。參觀者可以體驗使用獵能技術智慧型端點的嶄新市場。
瑞薩將於11月13日至16日在2018年慕尼黑電子展（electronica）B4展覽館＃556號攤位上，展示幾款採用新型R7F0E嵌入式控制器的獵能技術。參觀者可以體驗使用獵能技術智慧型端點的嶄新市場。
關於更多全新R7F0E嵌入式控制器的資訊，請造訪http://www.renesas.com/us/en/solutions/key-technology/sotb.html
瞭解更多關於瑞薩e-AI解決方案的資訊
查看全新e-AI網頁：https://www.renesas.com/en/solutions/key-technology/e-ai.html。
觀賞全新e-AI概念影片：https://www.renesas.com/en/support/videos/e-ai-overview-video.html。
查看全新e-AI網頁：https://www.renesas.com/en/solutions/key-technology/e-ai.html。
觀賞全新e-AI概念影片：https://www.renesas.com/en/support/videos/e-ai-overview-video.html。
關於瑞薩電子
瑞薩電子(TSE:6723)以完整的半導體解決方案提供值得信賴的嵌入式設計與創新，使數以億萬計的智慧型裝置能夠相互連結，讓人們得以安全、安心地工作與生活。身為全球領先的微控制器、類比元件、電源IC、SoC及整合式平台供應商，瑞薩為汽車、工業、家用電子、辦公室自動化以及資訊通信科技…等廣泛的應用範圍提供先進的專業知識、品質與全面性的解決方案，協助人們實現大無限的未來。欲了解更多資訊，請造訪renesas.com。
瑞薩電子(TSE:6723)以完整的半導體解決方案提供值得信賴的嵌入式設計與創新，使數以億萬計的智慧型裝置能夠相互連結，讓人們得以安全、安心地工作與生活。身為全球領先的微控制器、類比元件、電源IC、SoC及整合式平台供應商，瑞薩為汽車、工業、家用電子、辦公室自動化以及資訊通信科技…等廣泛的應用範圍提供先進的專業知識、品質與全面性的解決方案，協助人們實現大無限的未來。欲了解更多資訊，請造訪renesas.com。
