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英飛凌氮化鎵 (GaN) 解決方案進入量產

本文作者:英飛凌       點擊: 2018-11-16 10:21
前言:
2018年11月16日--英飛凌科技股份有限公司 (FSE:IFX/OTCQX:IFNNY) 攜氮化鎵(GaN)解決方案CoolGaN™ 600 V增強型HEMT和 氮化鎵驅動IC EiceDRIVER™,精彩亮相2018年德國慕尼黑電子展。英飛凌展示了其產品優勢:它們具備更高功率密度,可實現更加小巧、輕盈的設計,從而降低系統總成本和營運成本,減少資本支出。隨著CoolGaN 600 V增強型HEMT和GaN EiceDRIVER柵極驅動IC的推出,英飛凌是目前市場上唯一一家提供涵蓋矽(Si)、碳化矽(SiC)和氮化鎵(GaN)等材料的全系列功率產品供應商。
 

CoolGaN 600 V增強型HEMT:
新款 CoolGaN 600 V 增強型 HEMT 採用可靠的常閉概念,已優化實現快速開通和關斷。它們可在開關式電源(SMPS)中實現高能源效率和高功率密度,其優值係數(FOM)在目前市面上所有 600 V 元件中首屈一指。CoolGaN 開關具極低的柵極電荷及反向導通狀態下的優異動態性能,進而大幅提高工作頻率,從而透過縮小被動元件的總體尺寸,提高功率密度。 英飛凌 CoolGaN 600 V 增強型HEMT在功率因數校正器(PFC)裡具有超高的能效(2.5 kW PFC能效 > 99.3%)。相同能效下的功率密度可達到160 W / in3(3.6 kW LLC能效 > 98%)。在諧振拓撲中,CoolGaN線性輸出電容可將死區時間縮短至八分之一到十分之一。
 
CoolGaN 擁有業界領先的可靠性。品管過程不僅對元件本身,還針對其在應用環境中的性能進行全面測試。這確保了CoolGaN開關滿足甚至超越最高品質標準。

CoolGaN 600 V增強型HEMT提供70 mΩ和190 mΩ的SMD封裝,確保優異的散熱性能和低寄生效應。透過推出全系列SMD封裝產品,英飛凌支援高頻運行的應用,如企業級超大規模資料中心伺服器、電信整流器、適配器、充電器、SMPS和無線充電設施等。
 
氮化鎵 EiceDRIVER驅動IC :
英飛凌新推出的氮化鎵EiceDRIVER驅動IC – 1EDF5673K、1EDF5673F和1EDS5663H — 是CoolGaN增強型HEMT的完美搭檔,專為確保CoolGaN開關實現強固且高效的運作所設計,同時最大限度地減少工程師研發工作量,加快產品上市時程。
 
不同於傳統功率MOSFET的柵極驅動IC,專為英飛凌CoolGaN量身定制的柵極驅動IC可提供負輸出電壓,以快速關斷氮化鎵開關。在開關應處於關閉狀態的整個持續時間內,GaN EiceDRIVER IC可以使柵極電壓穩定保持為零。這可保護氮化鎵開關不受雜訊影響導致誤導通,即便是首脈衝,這對於SMPS實現強固運作至關重要。氮化鎵柵極驅動IC可實現恒定的GaN HEMT開關轉換速率,幾乎不受工作迴圈或開關速度影響。這可確保運作穩健性和高能效,大大縮短研發週期。它整合了電氣隔離,可在硬開關和軟開關應用中實現強固的運作。它還可在SMPS一次側和二次側之間提供保護,並可根據需要在功率級與邏輯級之間提供保護。
 
GaN EiceDRIVER 1EDF5673K採用13引腳LGA 5x5 mm封裝,1EDF5673F採用16引腳DSO 150 mil封裝,1EDS5663H採用16引腳DSO 300 mil封裝。
 
上市時程
全新CoolGaN 600 V增強型HEMT現已開始供貨,矽基GaN EiceDRIVER IC可供預訂。更多資訊請造訪
www.infineon.com/ganwww.infineon.com/gan-eicedriver
 
英飛凌亮相2018年德國慕尼黑電子展
如何生產清潔能源,如何以快速且低損耗的方式將之輸送給電動汽車?當我們向雲端傳送越來越多的資料時,是什麼讓伺服器變得更加高效?目前,機器人是否適合在人們的日常生活中使用?在互聯互通的世界裡,我們如何保護自己,抵禦網路攻擊?德國最大的半導體製造商攜手客戶和戰略夥伴,正在研製針對未來聯網世界的解決方案。英飛凌於2018年德國慕尼黑電子展 (11月13日至16日) 展示現實與數位世界的連結,歡迎蒞臨英飛凌展位:C3廳503號展位。更多資訊,敬請訪問
www.infineon.com/electronica

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