2018年12月17日--力旺電子今日宣佈，其嵌入式可多次編寫(Multiple-Times Programmable，MTP)記憶體矽智財NeoMTP已成功導入格芯130nm BCD與BCDLite製程平台，專攻消費性及車用市場，以及日益增加的無線充電和USB Type C應用之需求。
力旺目前在格芯130nm BCD與BCDLite製程平台開發的NeoMTP矽智財皆符合車規驗證標準AEC-Q100 Grade 1，並將進一步在已驗証之平台佈局升級版的二代NeoMTP，於不同的平台分別提供符合車規驗證標準AEC-Q100 Grade 1與AEC-Q100 Grade 0之二代NeoMTP。
符合AEC-Q100 Grade 1之NeoMTP操作溫度可達150°C，在溫度區間(-40°C~150°C)編寫達1,000次，並能在125°C的高溫下維持10年以上的資料留存之優異性能，同時，其2.5V-5.5V優於一般工作範圍的操作電壓區間及低功耗、高速讀取等特性，有利於客戶在產品設計上具備彈性及競爭力，未來符合AEC-Q100 Grade 0之NeoMTP操作溫度更可高達175°C。
力旺NeoMTP技術是目前業界最具成本效益的嵌入式MTP (Multiple-Times Programmable)方案，其二代MTP記憶體面積更是縮小超過40%，IC設計廠商使用NeoMTP矽智財不僅可延長產品生命週期，而且可擴大產品之應用範圍。無線充電器可藉由嵌入NeoMTP IP而允許頻繁修改內設之電源開關順序、輸出電流及溫度控制等規格參數，以達到產品最佳化之目的；此外，採用NeoMTP也可以讓USB Type C進行多次軟體及產品功能更新。
格芯生態系統合作夥伴關係副總裁Mark Ireland表示：「力旺電子與格芯長期以來一直密切合作，致力於創新科技並協助客戶在量產製程取得成功。我們預期這次與力旺在130nm BCDLite和BCD製程平台合作導入NeoMTP，將為我們的共同客戶帶來更好的經濟效益與設計上的彈性。」
力旺業務發展處副總經理何明洲表示：「我們很開心能夠與格芯合作，在130nm BCDLite和BCD製程平台的佈局從一代NeoMTP延伸至二代NeoMTP，提供我們的客戶更優異的規格，預計能協助客戶在消費性電子及車用市場搶得先機。」
力旺電子與格芯長期在各個不同製程平台都有緊密合作，提供高可度及更具經濟效益的矽智材解決方案以回應客戶不同之需求。力旺電子的二代NeoMTP在BCDlite及BCD製程平台預計將於2019年完成可靠度驗證。
關於力旺電子
力旺電子(3529)是全球第七大半導體矽智財供應商，專精嵌入式Hard IP設計。自2000年成立以來，力旺持續提供全球1,300多家晶圓廠、整合元件廠和IC設計公司一流的矽智財解決方案。自台積公司2010年創設「IP Partner Award」以來，力旺每年都以卓越的IP設計及服務獲得此一獎項的肯定。
力旺在全球嵌入式非揮發性記憶體市場(embedded Non-volatile Memory)位居領導地位，其eNVM解決方案廣泛布建於全球主要晶圓廠製程，涵蓋製程技術之廣位居業界之冠。此外，力旺也領先業界以矽晶圓生物特徵開發其特有的晶片安全矽智財。
力旺的eNVM 矽智財系列包括可一次編寫記憶體 (NeoBit/NeoFuse)、可多次編寫記憶體 (NeoMTP/NeoFlash/NeoEE)以及晶片安全矽智財NeoPUF。
