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英飛凌推出全新 OptiMOS™ 6 40 V 系列:具備優異的 RDS(on) 與切換效能

本文作者:英飛凌       點擊: 2019-03-20 15:57
前言:
2019年3月20日--英飛凌科技 (FSE:IFX/OTCQX:IFNNY) 推出全新 OptiMOS™ 6 系列,為分立式功率 MOSFET 技術奠定新技術標準。新產品系列採用英飛凌薄晶圓技術,提供顯著的效能優勢,並涵蓋寬廣的電壓範圍。全新 40 V MOSFET 系列已針對 SMPS 的同步整流進行最佳化,適用於伺服器、桌上型電腦、無線充電器、快速充電器及 ORing 電路。
 

相較於前一代產品,新款OptiMOS 6 40 V 的導通電阻降低了 30%,具備更佳的優質係數 (Qg x RDS(on) 降低 29%、Qgd x RDS(on) 降低 46%)。因此新款裝置在 SMPS 應用中成為在寬廣輸出功率範圍內進行效率最佳化的理想選擇,避免在低負載和高負載狀況之間進行取捨。
 
其效率曲線明確顯示 OptiMOS 6 在低輸出功率位準表現上優於前代產品,這歸功於其優異的切換效率。即使 RDS(on) 損耗較大時,但仍可在較高的輸出功率上維持上述優點。因此,可簡化散熱設計並減少並聯數量,進而降低系統成本。
 
供貨情形
OptiMOS 6 功率 MOSFET 40 V 系列提供兩種不同的封裝:
› SuperSO8 尺寸為 5 mm x 6 mm、RDS(on)  範圍從 0.7 mΩ 至 5.9 mΩ
› PQFN 3x3 尺寸為 3.3 mm x 3.3 mm、RDS(on) 範圍從1.8 mΩ 至 6.3 mΩ

詳細資訊請瀏覽
www.infineon.com/optimos6

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