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X-FAB基於180nm的工藝技術推出高靈敏度SPAD和APD器件

本文作者:X-FAB       點擊: 2019-06-25 10:13
前言:
2019年6月24日--全球領先的模擬/混合信號代工廠X-FAB Silicon Foundries繼續開發突破性的工藝方案以解決富有挑戰性的設計,現宣佈推出雪崩光電二極體(APD)和單光子雪崩二極體(SPAD) 器件,用於滿足在微弱光源條件下所需的靈敏度,以及嚴格的時間解析度。
 

 
基於該公司廣受歡迎的180nm高壓XH018工藝,這些功能塊提供了高性能參數和直接集成的組合。APD具有良好的線性增益特性,並且完全可擴展從僅僅10到幾百微米的尺寸。 使用X-FAB專有抑制電路(quenching circuit) ,SPAD的死區時間少於15ns,因而能夠支持高頻寬設計。此外,其較低的暗計數率(dark count rate: <100counts/s/µm²)意味著它對熱雜訊的敏感性要低得多。 SPAD的高光子探測率(PDP)確保了更高比例的入射光子觸發雪崩,並且此高比例能夠在很寬的波長範圍內保持(例如在400nm處為40%)。
 
X-FAB 的APD和SPAD可用于廣泛的應用領域,其中包括接近感應、雷射雷達(LiDAR)、飛行時間(ToF)、醫學成像(CT和PET)和科學研究。由於它們符合AEC-Q100標準,因而同樣適用於汽車系統中應用。此外,已經實現的低擊穿電壓(<20V)有助於將它們整合到客戶晶片。作為X-FAB設計套件的組成部分,它們完整的表徵,並可輕鬆的與XH018工藝中的其他模組組合。光學和電學模擬模型以及特定的應用指南可説明設計師在短時間內將這些器件集成到其電路中。除了以功能塊格式提供外,配合SPAD工作的抑制參考電路(quenching circuit)也可提供。
 
X-FAB特色工藝制程分享會2019將於7月8日至12日在中國3個不同城市舉行 - 北京(7月8日),西安(7月10日)和成都(7月12日)。 該活動旨在展示XFAB在精密類比/混合信號領域的專長, 設計支援服務和代工廠解決方案,以支持汽車,工業和醫療市場. 有關我們中國路演的更多資訊,請到:
https://www.xfab.com/about-x-fab/events/seminar-china
 
X-FAB將參加於2019年6月25至27日在聖約瑟McEnery會議中心舉辦的感測器博覽會(Sensors Expo),展位號546,屆時公司團隊成員將能夠討論全新APD和SPAD產品。 欲瞭解該展會的更多資訊,請訪問:https://www.sensorsexpo.com
 
關於X-FAB
X-FAB是一家領先的類比/混合信號和MEMS代工集團,能夠生產用於汽車、工業、消費、醫療和其他應用領域的晶圓。通過使用X-FAB的1.0至0.13μm CMOS和SOI工藝以及特定的SiC和MEMS長壽命工藝,全球客戶能夠受益于其更高品質標準、卓越製造能力和創新解決方案。X-FAB能夠提供類比-數位積體電路(混合信號IC)、感測器和微機電系統(MEMS)的代工,由分佈在德國、法國、馬來西亞和美國的六個生產工廠製造,X-FAB在全球擁有約4,000名員工,欲瞭解更多資訊,請訪問:
www.xfab.com
 

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