2019年6月25日--力旺電子今日宣布其一次可編程(OTP)記憶體矽智財NeoFuse成功導入華邦電子25奈米DRAM製程平台，即將進入量產階段，有助於客戶在車用、工業、5G通訊等新的市場應用取得先機。
NeoFuse矽智財使DRAM產品在封裝前的晶片測試及封裝後的產品測試均可進行修補，達到多次修補(Multi-Repair)的目的。與傳統雷射調校(Laser Trimming)相比，不僅降低調校成本與時間，並可使製造測試流程更加便利。尤其是在晶片封裝後仍可進行修補(Repair)，大為提升多晶片封裝(MCP)產品的生產良率。
可相容於DRAM製程平台的NeoFuse技術提供優於一般工作範圍的操作電壓區間，有利於客戶在產品設計上具備彈性並有效降低功耗。此外，NeoFuse的高編程良率，只需一次編程便可將資料成功寫入，可大幅降低操作的複雜性和測試成本。
力旺業務發展中心副總何明洲表示：「力旺的矽智財解決方案已成功地導入各類型的晶片應用。我們非常榮幸可以與世界領導之記憶體供應商華邦電子共同合作，將力旺的NeoFuse導入25奈米DRAM製程，我相信此項合作可使整體產品測試更加靈活，更有效率地提供符合高階客戶與應用需求的產品。」
力旺與華邦此次的合作對雙方來說均是重要的里程碑，顯示其在創新技術上的持續努力與致力提供值得信賴、高品質解決方案的決心。除了現階段在25奈米DRAM製程的合作外，雙方更進一步進行NeoFuse在二代DRAM製程的開發計畫，預計在不久後即可完成佈建。
關於力旺電子
力旺電子(3529)是全球知名的領導半導體矽智財供應商，專精嵌入式Hard IP設計。自2000年成立以來，力旺持續提供全球1,550多家晶圓廠、整合元件廠和IC設計公司一流的矽智財解決方案。自台積公司2010年創設「IP Partner Award」以來，力旺每年都以卓越的IP設計及服務獲得此一獎項的肯定。
力旺在全球嵌入式非揮發性記憶體市場(embedded Non-volatile Memory)位居領導地位，其eNVM解決方案廣泛布建於全球主要晶圓廠製程，涵蓋製程技術之廣位居業界之冠。此外，力旺也領先業界以矽晶圓生物特徵開發其特有的晶片安全矽智財。
力旺的eNVM 矽智財系列包括可一次編寫記憶體 (NeoBit/NeoFuse)、可多次編寫記憶體 (NeoMTP/NeoFlash/NeoEE)以及晶片安全矽智財NeoPUF。
