2019年8月15日--全球創新記憶體和儲存解決方案的領導廠商美光科技（Nasdaq: MU），今日宣佈了 DRAM 擴充的進展，成為首家開始使用 1z nm 製程技術量產 16Gb DDR4 產品的記憶體公司。
美光科技技術開發執行副總裁 Scott DeBoer 表示：「現今擴充 DRAM 條件變得更加複雜，開發和量產業界最小尺寸的 DRAM 節點展現了美光世界級的工程和製造能力。率先進入市場讓美光擁有競爭優勢，我們將繼續為廣泛的終端客戶應用提供高價值解決方案。」
與上一代 1y nm 節點相比，美光的 1z nm 16Gb DDR4 產品顯著提高位元密度、大幅增進效能並降低成本。同時，它也促進美光持續改善其運算 DRAM（DDR4）、行動 DRAM（LPDDR4）和圖形 DRAM（GDDR6）產品系列的相對效能和功耗。對於包括人工智慧、自動駕駛車輛、5G、行動裝置、圖形、遊戲、網路基礎設施和伺服器等應用而言，功率和效能之間的優化平衡是關鍵的差異化因素。
美光透過量產 16Gb DDR4 記憶體解決方案，開始將技術移轉至 1z nm。使用更小的節點進行生產帶來多項優勢，包括功耗較上一代 8Gb DDR4產品降低約 40%。美光全面的 1z nm DDR4 產品組合也滿足資料中心對更高效能、更高容量和更低功耗，日益增長的需求。
此外，美光今日也宣佈公司已開始批量出貨基於 UFS 規範多晶片封裝 （uMCP4） 的業界最高容量單片 16Gb 低功率雙倍資料速率 4X （LPDDR4X） DRAM。美光的 1z nm LPDDR4X 和 uMCP4 滿足了行動裝置製造商尋求更低功率和更小封裝，以設計具有吸引人的規格尺寸和長電池壽命的裝置需求。
關於 Micron Technology, Inc. （簡稱“美光”）
美光為創新記憶體和儲存解決方案的領導廠商。美光的全球品牌 Micron®、Crucial® 和 Ballistix® 擁有廣泛的高性能記憶體和儲存技術產品組合，其中包括 DRAM、NAND、NOR Flash 和 3D XPoint™ 記憶體。它們都正在改變世界使用資訊的方式，使人們的生活更豐富。以40 年的技術領導地位為後盾，美光的記憶體和儲存解決方案可支援在資料中心、網路、車用、工業用、行動裝置、顯示卡和客戶端等關鍵市場領域具顛覆性的最新趨勢，包括人工智慧、機器學習和自動駕駛。美光的普通股在NASDAQ上市交易，其股票代碼為 MU。欲知更多美光相關資訊，請至www.micron.com 。
美光為創新記憶體和儲存解決方案的領導廠商。美光的全球品牌 Micron®、Crucial® 和 Ballistix® 擁有廣泛的高性能記憶體和儲存技術產品組合，其中包括 DRAM、NAND、NOR Flash 和 3D XPoint™ 記憶體。它們都正在改變世界使用資訊的方式，使人們的生活更豐富。以40 年的技術領導地位為後盾，美光的記憶體和儲存解決方案可支援在資料中心、網路、車用、工業用、行動裝置、顯示卡和客戶端等關鍵市場領域具顛覆性的最新趨勢，包括人工智慧、機器學習和自動駕駛。美光的普通股在NASDAQ上市交易，其股票代碼為 MU。欲知更多美光相關資訊，請至www.micron.com 。
