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Diodes 公司的電源塊 MOSFET 可提升功率轉換器效率並節省 PCB 空間

本文作者:Diodes 公司       點擊: 2020-05-29 10:12
前言:

2020年5月29日--Diodes 公司 (Nasdaq:DIOD) 今日宣布推出新一代首款獨立 MOSFET。DMN3012LEG 採用輕巧封裝,可提升效率,大幅節省各種電源轉換與控制產品應用的成本、電力與空間。
 
 
DMN3012LEG 在單一封裝內整合雙 MOSFET,尺寸僅 3.3mm x 3.3mm,相較於典型雙晶片解決方案,電路板空間需求最多減少 50%。此節省空間的特點,有利於使用負載點 (PoL) 與電源管理模組的一系列產品應用。DMN3012LEG 可用於 DC-DC 同步降壓轉換器與半橋電源拓撲,以縮小功率轉換器解決方案的尺寸。
 
PowerDI® 3333-8 D 型封裝的 3D 結構有助增加整體功率效率,且高電壓與額定電流大幅擴大其應用範圍。完全接地墊片設計可帶來良好的散熱效能,降低整個解決方案的運作溫度,還能善用高切換速度及其效率,免去大型電感器和電容器的需求。
 
DMN3012LEG 整合兩個 N 通道的增強模式 MOSFET,非常適合用於同步降壓轉換器的設計。此元件使用橫向擴散 MOS (LDMOS) 製程,結合快速導通和間斷動作,Q1 延遲時間僅 5.1ns 和 6.4ns,Q2 僅 4.4ns 和 12.4ns,且 Q1 最大導通電阻 (RDS(ON)) 在 Vgs=5V 時僅 12mΩ,Q2 在 Vgs=5V 時則是 6mΩ。若閘源極電壓為 10V,DMN3012LEG 可接受 30V 汲源極電壓,同時支援 5V 閘極驅動。
 

 

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