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力旺電子與熵碼科技攜手聯電,共同開發全球首個PUF應用安全嵌入式快閃記憶體

本文作者:力旺電子       點擊: 2020-12-10 15:36
前言:
 2020年12月10日--力旺電子(eMemory)及其子公司熵碼科技(PUFsecurity)與位居全球領導地位的晶圓大廠聯華電子(UMC)今日宣布,三方成功共同開發全球首個PUF應用安全嵌入式快閃記憶體解決方案PUFflash。

熵碼科技的PUFflash結合三方技術強項,將力旺電子的NeoPUF導入聯華電子55奈米嵌入式快閃記憶體技術平台,為市場提供了安全嵌入式快閃記憶體解決方案。PUFflash最主要的特色為,透過其內置的PUFrt信任根增強了嵌入式快閃記憶體的安全性,同時又能保有嵌入式快閃記憶體原先的讀取效率。

在與熵碼科技的合作下,力旺電子更加強化其提供完整業務服務和技術方案的能力。「熵碼科技的PUFflash透過完善的數位設計使PUF和嵌入式快閃記憶體能以最有效率的方式作結合」 力旺業務發展中心副總何明洲表示。「隨著PUFflash的發展,我們為客戶提供了整合性解決方案來加密保護儲存在快閃記憶體中的重要資料。」

「力旺電子和熵碼科技的PUFflash是我們嵌入式Flash客戶所樂見的資源,這些客戶希望客製其IC以服務於IoT和其他安全市場。」對此次合作開發的成果,聯電矽智財研發暨設計支援處林子惠處長表示:「我們對此次共同開發以及在55nm ULP eFlash技術平台上成功驗證的結果感到非常滿意,因為這些製程正是專門為滿足物聯網應用所需的性能表現和極低功耗要求而設計的。」
 
「PUFflash增強了MCU和SoC嵌入式NVM存儲的安全性,保護了用戶數據和重要的韌體資產。」熵碼科技執行副總楊青松表示:「PUFflash還具備防偽效益,以保護產品的供應鏈,從而簡化產品生命週期的管理工作。」

聯華電子已與數十家客戶在其極具成本效益的55ULP (Ultra Low Power) eFlash技術平台展開業務合作,瞄準多項市場包括MCU、晶片卡、消費性電子和汽車產業。

關於力旺電子
力旺電子(3529)是全球知名的領導半導體矽智財供應商,專精嵌入式Hard IP設計。自2000年成立以來,力旺持續提供全球1,800多家晶圓廠、整合元件廠和IC設計公司一流的矽智財解決方案。力旺在全球嵌入式非揮發性記憶體市場(embedded Non-volatile Memory)位居領導地位,其eNVM解決方案廣泛布建於全球主要晶圓廠製程,涵蓋製程技術之廣位居業界之冠。此外,力旺也領先業界以矽晶圓生物特徵開發其特有的晶片安全矽智財。力旺的eNVM 矽智財系列包括可一次編寫記憶體 (NeoBit/NeoFuse)、可多次編寫記憶體 (NeoMTP/NeoEE)以及晶片安全矽智財NeoPUF。
更多力旺電子訊息,請見公司官網 www.ememory.com.tw

關於熵碼科技
熵碼科技是力旺電子的子公司,致力於創新以PUF為核心的安全解決方案。結合我們的研發技術和市場資源,其中包含了來自母公司力旺電子的NeoPUF和OTP等核心IP,熵碼科技正將利基於PUF的安全解決方案推向市場 最新的解決方案IP包含硬件信任根PUFrt(UID + tRNG + Secure OTP)和內置PUFrt的高安全性加密處理器PUFiot。 憑藉我們精準的產業洞察及研發能力,熵碼科技提供具有高性能和高成本效益的硬件安全解決方案。
更多熵碼科技訊息,請見公司官網 www.pufsecurity.com.tw

關於聯電
聯華電子(紐約證券交易所代碼:UMC,台灣證券交易所代碼:2303)為全球半導體晶圓專工業界的領導者,提供成熟和先進製程的晶圓製造服務,近年來尤其專注於特殊技術,為跨越電子行業的各項主要應用產品生產晶片。聯電完整的解決方案能讓晶片設計公司利用尖端製程的優勢,包括28奈米High-K/Metal Gate後閘極技術、14奈米量產,提供專為AI,5G和IoT應用設計的製程平台;另擁有汽車行業最高評級的AEC-Q100 Grade-0製造能力,可用於生產汽車中的晶片。 聯電現共有十二座晶圓廠,策略性地遍及亞洲各地,每月可生產超過70萬片晶圓。聯電在全球約19,000名員工,在台灣、中國、歐洲、日本、韓國、新加坡及美國均設有服務據點,以滿足全球客戶的需求。詳細資訊,請參閱聯華電子官網:http://www.umc.com

 

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