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意法半導體推出高功率配置的SO-8W封裝6kV磁隔離高壓閘極驅動器

本文作者:意法半導體       點擊: 2020-12-11 11:43
前言:
2020年12月10日--橫跨多重電子應用領域、全球領先的半導體供應商意法半導體(STMicroelectronics,簡稱ST;紐約證券交易所代碼:STM)推出高功率配置的高壓閘極驅動器STGAP2HS,適用於閘極驅動側與低壓控制介面電路且要求6kV電隔離的應用。

 
這款1200V元件的輸出端最大灌電流和拉電流為4A,可以簡化中高功率轉換器、電源和逆變器設計,加強系統可靠性。其適用於家用電器和工廠自動化、風扇、電磁加熱器、電焊機、不斷電供應系統等工業設備。

該元件採用意法半導體的BCD6s技術製造,具有雙輸入腳位,可讓設計人員彈性控制訊號,並提供硬體互鎖保護功能,防止控制器發生故障並引發交叉導通。輸入腳位相容最低3.3V的CMOS/TTL邏輯訊號,便於與控制器連線。低高壓電路之間配對的傳播延遲可防止週期失真,最大幅度降低能源損耗,並可高頻運作。在-40°C至125°C的溫度範圍內,共模瞬變抗擾度(Common-Mode Transient Immunity,CMTI)為±100V/ns。

STGAP2HS輸出有兩種不同的配置。 其中一個具有分離的輸出腳位,兩個腳位可使用不同的閘極電阻來獨立優化導通和關斷時間。第二種配置只有一個輸出腳位,另外一個則是米勒鉗位功能,可防止在半橋拓撲快速換向期間出現閘極電壓尖峰。每種配置都可讓設計人員在上橋臂和下橋臂電路中使用N溝道MOSFET開關二極體,以降低外部元件的物料清單成本。

除了過熱保護外,STGAP2HS還具備UVLO保護,防止功率開關二極體在低效率或危險條件下運作,提升系統可靠性。輸入至輸出傳播延遲低於75ns,可達到精確的脈波寬度調變(Pulse-Width Modulation,PWM)控制。除此之外,晶片的待機模式可以降低系統功耗。

STGAP2HS採用寬體SO-8W封裝,可在節省空間的封裝中確保爬電性能。

更多資訊,請造訪:www.st.com/stgap2hs-pr

關於意法半導體
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