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EUV技術、GAA電晶體架構與半導體材料為台積電先進製程三大關鍵競爭優勢

本文作者:DIGITIMES Research       點擊: 2021-07-26 12:53
前言:
2021年7月26日-- 即使業界對摩爾定律(Moore’s Law)發展看法分歧,台積電仍信心滿滿,而先進製程發展順利是台積電得以延續摩爾定律的重要體現。台積電之所以可順利推展先進製程並保持業界領先的競爭優勢,DIGITIMES Research分析師陳澤嘉認為,其在EUV技術、GAA電晶體架構與半導體材料布局是關鍵。
 
台積電先進製程技術得以穩步推進,除與客戶密切合作外,台積電近年持續每年投入上百億美元的資金,以及穩定成長的研發費用,為其不斷累積重要的技術基礎與實力。
 
同時,台積電EUV技術累積也有賴產能的規模經濟,以及大量生產經驗帶來學習曲線縮短的效益,進而提升EUV設備生產效率與良率,除讓台積電得以率先穩定量產EUV製程7奈米及5奈米,並可望提前量產4奈米,先進製程競爭優勢甚至可望延續至2奈米及以下。
 
此外,台積電將在2奈米開始採用環繞式閘極場效電晶體(Gate-All-Around FET;GAAFET),同時,可望導入低維度高電子遷移率材料、絕緣層材料等,穩步推進電晶體微細化,以強化其在先進製程的競爭優勢。  
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