2021年8月31日--為降低高效能寬能隙功率技術之應用挑戰，服務橫跨多重電子應用領域的全球半導體領導商意法半導體（STMicroelectronics，簡稱ST；紐約證券交易所代碼：STM）推出MasterGaN3*和MasterGaN5兩款整合功率系統封裝，分別針對最高45W和150W的功率轉換應用。
另外除了針對65W至400W應用的MasterGaN1、MasterGaN2和MasterGaN4，這兩款新加入的產品為設計開關式電源、充電器、轉接頭、高壓功率因數校正（Power-Factor Correction，PFC）和DC／DC轉換器的工程師選擇最佳的氮化鎵（GaN）元件和驅動解決方案提供了更多的彈性。
意法半導體的MasterGaN概念簡化了GaN寬能隙功率技術替代普通矽基MOSFET的移轉程序。新產品整合兩個650V功率電晶體與優化之高壓閘極驅動器，以及相關的安全保護電路，消弭了閘極驅動器和電路佈局的設計挑戰。由於GaN電晶體提供更高的開關頻率，相較於基於矽的設計，新的整合功率系統封裝可使電源尺寸縮小了高達80%，並且具備很高的穩定性和可靠性。
MasterGaN3 兩個 GaN 功率電晶體的導通電阻值（Rds(on)）不相等，分別為225mΩ和450mΩ，使其適用於軟開關和有源整流轉換器。在MasterGaN5中，兩個電晶體的導通電阻值（Rds(on)）皆為450mΩ，適用於LLC諧振和有源鉗位反激轉換器等拓撲。
與MasterGaN產品家族的其他成員相似，這兩款元件均相容3.3V至15V邏輯訊號的輸入，進而簡化了產品本身與DSP處理器、FPGA或微控制器等主控制器，以及霍爾感測器等外部裝置的連線。新產品亦整合了安全保護功能，包括高低邊欠壓鎖定（UVLO）、閘極驅動器互鎖、過熱保護和關斷腳位。
每款MasterGaN產品都有一個配套的專用原型開發板，協助設計人員快速啟動新電源專案。 EVALMASTERGAN3和EVALMASTERGAN5開發板皆包含一個單端或互補驅動訊號產生器電路。板載一個可調的死區時脈產生器，以及相關的裝置介面，便於使用者採用不同的輸入訊號或 PWM 訊號，連線一個外部自舉二極體來改善容性負載，為峰流式拓撲插入一個低邊檢流電阻。
MasterGaN3和MasterGaN5現已量產，其採用針對高壓應用而優化的9mm x 9mm GQFN封裝，高低壓焊盤間爬電距則離為2mm。
*MasterGaN是STMicroelectronics International NV（意法半導體半導體國際有限公司）或其相關公司在歐盟和／或其他地區之註冊或未註冊商標。
關於意法半導體
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