2021年11月3日--服務橫跨多重電子應用領域的全球半導體領導商意法半導體（STMicroelectronics，簡稱ST；紐約證券交易所代碼：STM）新推出之STGAP2SiCSN是為控制碳化矽MOSFET而優化的單通道閘極驅動器，其採用了節省空間的窄體SO-8封裝，具備穩定的效能和精準的PWM控制。
SiC功率技術被廣泛使用於提升功率轉換效率，而STGAP2SiCSN SiC驅動器可簡化節能型電源系統、驅動和控制電路設計以節省空間，並加強穩定性和可靠性。目標應用包括電動汽車充電系統、開關模式電源、高壓功率因數校正器（PFC）、DC／DC轉換器、不斷電供應系統（Uninterruptible Power Supply，UPS）、太陽能發電、馬達驅動設備、風扇、工廠自動化、家電，以及電磁感應加熱器。
STGAP2SiCSN在閘極驅動通道和低壓控制之間具備了電氣隔離，在高壓軌上可承受高達1700V 的電壓。輸入到輸出傳送時間低於75ns，確保PWM高精度的控制，以及±100V/ns共模瞬態抗擾度（Common-Mode Transient Immunity，CMTI) 確保開關可靠性。內建保護功能，包括欠壓鎖定和熱關機，欠壓鎖定（Under-Voltage Lockout，UVLO）透過閾值電壓防止SiC電源開關在低效能或不安全條件下運作。在偵測到接面溫度過高後，熱關機降低驅動器的兩個輸出。
新產品提供兩種配置選擇，獨立多輸出可以使用外部電阻個別最佳化的導通和關斷時間，而單輸出配置具有米勒鉗位（Miller clamp）功能，可以增強高頻硬開關應用的穩健性，利用米勒鉗位防止功率開關過度振盪。
STGAP2SiCSN邏輯輸入相容最低3.3V的TTL和CMOS邏輯訊號，其簡化了與主微控制器或DSP處理器的連線。在最高26V的閘極驅動電壓下，驅動器的最大灌電流和拉電流均為4A。晶片上結合自舉二極體可簡化設計並提升可靠性，關斷模式有獨立輸入腳位，有助於最大限度地降低系統功耗。
STGAP2SiCSNTR現已上市，其採用 5mm x 4mm窄體SO-8N封裝。
更多資訊，請造訪：www.st.com/stdrive。
關於意法半導體
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