EPC推出基於氮化鎵元件的12 V/48 V、500 W 升壓轉換器演示板， BOM尺寸矽與元件相同，可實現高效率和高功率密度
前言：
瑞薩電子(Renesas)的两相同步GaN升壓控制器與宜普電源轉換公司（EPC）的超高效eGaN® FET相结合，實現了高功率密度和低成本的DC/DC轉換。
瑞薩電子(Renesas)的两相同步GaN升壓控制器與宜普電源轉換公司（EPC）的超高效eGaN® FET相结合，實現了高功率密度和低成本的DC/DC轉換。
宜普電源轉換公司(EPC)宣佈推出12 V輸入、48 V輸出、500 W的DC/DC演示板（EPC9166）。該演示板展示出瑞薩電子ISL81807 80 V两相同步升壓控制器和宜普公司最新一代EPC2218 eGaN FET，在開關頻率爲500 kHz的12 V输入到48 V穩壓輸出轉換中，效率超過96.5%。輸出電壓可配置为36 V、48 V和60 V。該板在没有散熱器的情况下，可提供480 W的功率。
穩壓DC/DC升壓轉換器廣泛用於數據中心、計算和汽車应用，在其他輸出電壓中，將標稱的12 V轉換爲48 V的配電總綫。主要的趨勢是朝着實現更高的功率密度發展。
eGaN®場效應電晶體具有快速開關、高效率和小尺寸等優勢，可以满足這些前沿应用對功率密度的嚴格要求。EPC2218是市場上最小、效率最高的100 V的 FET。ISL81807是業界首款集成GaN驅動器的80 V雙路輸出/两相（單輸出）同步降壓控制器，可支持高達2 MHz频率。ISL81807採用電流模式控制，產生两個獨立的輸出或一個具有两個交錯相位的輸出。它支持電流共享，同步並聯更多的控制器/更多的相位，提高輕負載的效率和低關斷電流。ISL81807直接驅動EPC氮化鎵場效應電晶體，實現設計簡單、元件數量少和低成本的解決方案。
宜普公司首席執行長Alex Lidow說：「瑞薩電子的控制器IC讓工程師更容易使用氮化鎵元件。我們很高興與瑞薩電子合作，將其優越的控制器与我們的高性能氮化鎵元件結合起來，爲客户提供採用少量元件的解決方案，以提高效率、增加功率密度和降低系統成本。」
瑞薩電子移動、工業和基礎設施電源部門副總裁Andrew Cowell說：「瑞薩電子的ISL81807旨在高功率密度解決方案中，充份發揮GaN FET的高性能。ISL81807降低了GaN解決方案的BOM成本，因爲它不需要MCU、電流感應運算放大器、外部驅動器或偏置電源。它還具有完全保護功能並集成了GaN驅動器。有了ISL81807，使用氮化鎵場效應電晶體的設計就像使用矽基場效應電晶體一樣簡單。」
關於ISL81807的更多訊息，包括樣本、檔案和評估工具，可從瑞薩電子公司的網站獲取，網址爲renesas.com/isl81807。
宜普電源轉換公司是基於增強型氮化鎵（eGaN®）的功率管理元件的領先供應商，氮化鎵(eGaN)場效應電晶體及積體電路的性能比最好的矽功率MOSFET高出很多倍，其目標應用包括直流- 直流轉換器、光達（LiDAR）、用於電動運輸、機器人和無人機的馬達控制器，以及低成本衛星等應用。此外，宜普電源轉換公司繼續擴大基於eGaN IC的產品系列，爲客戶提供進一步節省佔板面積、節能及節省成本的解决方案。詳情請訪問我們的網站，網址爲www.epc-co.com.tw。eGaN® 是Efficient Power Conversion Corporation宜普電源轉換公司的註冊商標。
