40 V 耐輻射GaN FET專為苛刻的航空航天應用設定了新的性能標準
前言：
宜普電源轉換公司(EPC) 推出兩款額定電流為 62 A和 250 A的新型40 V元件，以擴展其用於功率轉換解決方案的耐輻射氮化鎵 (GaN) 產品系列，支持航太和其他高可靠性應用。
EPC宣佈推出兩款新型40 V耐輻射GaN FET。EPC7001是一款40 V、4 mΩ、250 APulsed的耐輻射GaN FET，僅佔用7 mm2的印刷電路板面積。EPC7002是一款 40 V、14.5 mΩ、62 APulsed的耐輻射GaN FET，僅佔用1.87 mm2的印刷電路板面積。兩款元件的總劑量輻射額定值均超過 1,000K Rad(Si)，而LET的 SEE抗擾度為 83.7 MeV/mg/cm2，VDS可達100%額定擊穿值。這些新型元件和其他耐輻射元件系列均採用晶片級封裝。封裝元件由EPC Space公司提供。
針對高可靠性和航空航天應用，具備更高性能的EPC的eGaN FET和IC可替代傳統的耐輻射矽元件。EPC的氮化鎵耐輻射元件比矽耐輻射元件明顯更小、電氣性能高出40倍和總體成本更低。此外，與傳統採用矽元件的解決方案相比，采用具備卓越抗輻射能力的EPC耐輻射元件，可支持具有更高的總輻射量和SEE LET水平的應用。
宜普電源轉換公司首席執行長暨聯合創始人Alex Lidow說：「耐輻射氮化鎵產品系列提供無與倫比的性能和可靠性，其顯著的優勢使航空航天系統更高效和更堅固，支持在嚴苛環境下的廣泛應用，例如航太和其他高可靠性軍工應用。」
受益於氮化鎵元件的性能和在應用中可以快速部署的應用包括DC/DC電源轉換器、馬達控制器、光達和用於太空的深空探測和離子推進器。氮化鎵元件特別適合用於在近地軌道(LEO)和地球同步軌道(GEO)運行的衛星和航空電子系統。
供貨詳情
EPC7001和EPC7002的工程樣品（ES）已有供貨。
宜普電源轉換公司簡介
宜普電源轉換公司（EPC）是基於增強型氮化鎵（eGaN®）的功率管理元件的領先供應商，氮化鎵(eGaN)場效應電晶體及積體電路的性能比最好的矽功率MOSFET高出很多倍，其目標應用包括直流- 直流轉換器、光達（LiDAR）、用於電動運輸、機器人和無人機的馬達控制器，以及低成本衛星等應用。此外，宜普電源轉換公司繼續擴大基於eGaN IC的產品系列，為客戶提供節省佔用印刷電路板的面積、節能及節省成本的解決方案。詳情請訪問我們的網站，網址爲www.epc-co.com.tw。eGaN® 是Efficient Power Conversion Corporation宜普電源轉換公司的註冊商標。關注EPC社交媒體: LinkedIn、YouTube、Facebook、Twitter、Instagram和優酷。
