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美光宣布量產第九代NAND快閃記憶體技術

本文作者:美光       點擊: 2024-07-31 09:55
前言:
領先業界的美光2650 NVMe SSD採用第九代NAND,現已大量出貨
2024年7月31日--美光科技(Nasdaq: MU)今日宣布,採用第九代(G9) TLC NAND技術的SSD現已開始出貨,成為首家達成這項里程碑的企業。美光G9 NAND傳輸速率3.6 GB/s為業界之冠,為資料讀取及寫入提供無可比擬的頻寬。不論是在個人裝置、邊緣伺服器,或是企業及雲端資料中心,這顆NAND新品均可展現同級最佳效能,滿足人工智慧及其他運用大量資料的使用情境。 
 
美光技術和產品執行副總裁Scott DeBoer表示:「美光G9 NAND正式出貨,證明美光在製程技術與設計創新上的強大實力,相較於目前市面上的競品,美光G9 NAND的密度提高73%,可建構體積更小、效能更高的儲存方案,對消費者和企業均有益」。

頂尖技術造就巔峰表現
美光G9 NAND善用業界最高NAND I/O速率,符合工作負載處理大量資料的高吞吐量需求,和市面上現已出貨的其他NAND SSD產品 相比,資料傳輸速率加快50%;與現有NAND競品方案 相較,美光G9 NAND的每晶粒寫入頻寬擴大達99%、讀取頻寬擴大達88%,從每顆晶粒就占盡優勢,自然有助於SSD和嵌入式NAND解決方案的效能及功耗表現。

美光G9 NAND延續前代產品特色,採用11.5mm x 13.5mm封裝,體積較競品縮小28%,成為市售體積最小的高密度NAND ,由於密度提高、體積縮小,更能自由設計各種使用情境。

美光執行副總裁暨事業長Sumit Sadana強調:「美光已在連續三代產品中,均引領業界推出創新和頂尖的NAND技術。美光G9 NAND可為其整合產品提供顯著優於競品之表現,並可做為儲存創新的基礎,為各終端市場客戶創造價值」。

美光G9 NAND在美光2650 SSD內發揮同級最佳表現
美光2650 NVMe SSD內建頂級G9 TLC NAND,在PCMark® 10測試 中超越競品,為日常運算提供同級最佳使用者體驗。

美光副總裁暨用戶端儲存事業部總經理Prasad Alluri指出:「即使PCIe Gen4市場理論上近乎飽和,美光2650 SSD採用最新G9 NAND技術,推進TLC用戶端SSD的極限,這款硬碟產品在PCMark 10的測試標準中,表現比競品高出38%,將重新定義同等級SSD的使用者體驗」。

IDC固態硬碟及創新技術研究部門副總裁Jeff Janukowicz表示:「AI演進增加資料生成量,也因此需要更大儲存空間,客戶亦要求提升效能,以跟上AI發展速度。美光2650等SSD產品受惠於新一代NAND創新,將成為企業和個別消費者不可或缺的關鍵技術」。

美光2650 NVMe SSD提供領先同級產品的穩定度,主打有助效能的加速快取,藉由Dynamic SLC Cache,進一步提高寫入表現。美光2650 NVMe SSD為PCIe Gen4提供實際飽和效能,連續讀取速率高達7,000 MB/s,相較於競品,連續讀取速率最高提升70%、連續寫入速率最高提升103%、隨機讀取速率最高提升156%、隨機寫入速率最高提升85% ,這些優異數據突顯美光決心突破技術極限,為客戶締造無與倫比的表現。

G9 NAND除了內建於美光2650 SSD提供給客戶端OEM,亦可以零組件或嵌入消費者Crucial SSD形式供應給客戶,更多相關資訊請見美光G9 NAND and 美光 2650 客戶端 SSD頁面。

其他資源:
美光新品發表部落格文章
美光G9 NAND頁面
美光2650 SSD頁面
美光2650產品簡介
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