當前位置: 主頁 > 專題報導 >
 

ECD 製程朝高深寬比& 高速電鍍邁進

本文作者:任苙萍       點擊: 2017-10-18 10:51
前言:
觀察1 :IoT 裝置帶動扇出型封裝成長
 

照片人物:Atotech 先進封裝全球產品經理Cassandra Melvin
 
在物聯網(IoT) 狂潮浪湧下,扇出型(Fan- out) 封裝將呈爆炸性成長,可望彌補目前覆晶(Flip Chip) 封裝的不足,包括:改善散熱和電性效能、藉由多次重佈線(RDL) 提供更多I/O 接腳數目、整合更多功能,以及封裝尺寸更小等。不過,阿托科技(Atotech) 先進封裝全球產品經理Cassandra Melvin 表示,這同時也為銅柱(copper pillar) 電化學沉積(Electrochemical Deposition,ECD) 製程帶來挑戰。

電子郵件:look@compotechasia.com

聯繫電話:886-2-27201789       分機請撥:11