2014年03月18日--設計工程師非常瞭解在應付由charged board event (CBE)造成的較嚴重損壞時，所提供符合IEC 61000-4-2標準的靜電放電 (ESD)保護功能可能還不夠。這些極強的浪湧事件具有高峰值電流和快速上升時間的特性，可能會破壞智慧型手機、平板電腦、汽車資訊娛樂設備和其他敏感電子產品的I/O埠。有鑑於此，TE Connectivity旗下的電路保護業務部門推出了全新的矽ESD (SESD)系列器件， 這些器件的空中放電額定值(air discharge rating)為±20kV 和±22kV，遠遠高於IEC 8kV 接觸放電和15kV空中放電標準的要求，可協助設計人員解決由CBE所引起且普遍存在的電路保護問題。
TE電路保護部產品經理Nicole Palma表示：“在與設計工程師一起工作時，我們發現IEC的ESD保護標準沒有真正解決可能導致產品故障的CBE所引起的問題。有鑑於此，我們強化了現有的小型低電容SESD器件產品線，提供20kV及更高的浪湧保護能力。這種更強大的保護能力可以協助製造商提升產品的可靠性，並將返修(field return)的次數減到最少，這正是在競爭激烈的電腦、行動、消費和汽車市場設計時的關鍵性考量因素。”
此新一代的SESD產品同時具有單向和雙向配置，以及1、2和4通道的版本，採用微小型0201和0402尺寸及標準直通(flow-through)封裝。除了提供20kV接觸放電性能，這些器件的浪湧保護能力(4通道陣列為2.2A，1和2通道器件為2.5A)將有助於提供更穩健的性能。
SESD器件的典型輸入電容在高頻譜下為0.15pF (雙向)和0.30pF (單向)，將有助於滿足HDMI、eSATA和其它高速信號的要求。其低鉗位電壓 (<15V) 則有助於達到快速啟動時間和將能量泄放 (energy let-through)降到最小。此外，SESD器件所具有的極低洩漏電流(50nA)，則可在必須節省能源的應用中用來降低功耗。
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型號：
單通道：
• SESD0201X1UN-0030-088 – 單向； 0201尺寸；0.30pF (典型) 輸入Cp；8.8V (典型) VBR
• SESD0201X1BN-0015-096 – 雙向； 0201尺寸；0.15pF (典型) 輸入Cp, 9.6V (典型) VBR
• SESD0402X1UN-0030-088 – 單向； 0402尺寸；0.30pF (典型) 輸入Cp, 8.8V (典型) VBR
• SESD0402X1BN-0015-096 –雙向； 0402尺寸；0.15pF (典型) 輸入Cp, 9.6V (典型) VBR
多通道：
• SESD0402Q2UG-0030-088 – 單向； 0402尺寸；0.30pF (典型) 輸入Cp, 8.8V (典型) VBR
• SESD1004Q4UG-0030-088 – 單向； 1004尺寸；0.30pF (典型) 輸入Cp, 8.8V (典型) VBR
關於TE Connectivity
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