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Diodes推出全球最小60V功率MOSFET以提升功率密度

本文作者:Diodes       點擊: 2014-06-26 11:25
前言:
2014年6月26日--Diodes公司 (Diodes Incorporated) 推出全球最小的60V NMOS ─ DMN6070SFCL,導通電阻小於100mΩ。新元件的面積為1.6mm x 1.6mm,標準高度則是0.5mm,並採用了DFN1616封裝,有助於在手機、超薄液晶電視及掌上型遊戲機等空間受限的產品達到更高的功率密度。
 
全新MOSFET的導通電阻在VGS達到4V時電流僅74 mΩ,可盡量減少導通損失及提高整體功率效率。DMN6070SFCL支援2A的持續電流以及10A的脈衝電流,有效應付DC-DC轉換尖峰。
 

 
這款微型MOSFET是Diodes 60V N-和P-通道元件系列之一,旨在滿足負載開關、DC-DC轉換及訊號開關負載週期的要求。該系列還提供SO8、SOT23、SOT223和TO252四款較大的封裝選擇,適合消費性電子產品、工業控制及暖氣、通風與空調設備等多種應用裝置。
 
有關進一步產品資料,請瀏覽Diodes網站www.diodes.com
 
Diodes簡介
Diodes公司 (Diodes Incorporated) 為標普小型股600指數 (S&P SmallCap 600 Index) 及羅素3000指數公司,是全球領先的離散、邏輯及類比半導體產品製造商及供應商,服務消費性電子、電腦、通訊、工業及汽車等不同市場。Diodes的產品包括二極體、整流器、電晶體、MOSFET、保護設備、特殊功能陣列、單閘邏輯、放大器和比較器、霍爾效應及溫度應傳感器,以及涵蓋LED驅動器、交流對直流轉換器和控制器、直流-直流切換和線性穩壓器、電壓參考的功率管理元件,以至USB電源開關、負載開關、電壓監控程式及馬達控制器等特殊功能元件。

Diodes公司總部及美國業務辦事處位於美國德州普萊諾市,在普萊諾、加州聖荷西、台北、英國曼徹斯特和德國諾伊豪斯設有設計、行銷及研發中心;在密蘇里州坎薩斯城及曼徹斯特設有晶圓製造廠,另有兩座設於上海;在上海、成都、台北及諾伊豪斯各設一所封裝及測試廠;在德州沃斯堡、台北、香港、曼徹斯特、上海、深圳、南韓城南市和水原市、東京及慕尼黑設有研發、業務、倉儲及物流辦事處;並在世界各地設有業務與技術支援辦事處。
 
有關進一步的詳盡資訊,包括美國證監會存檔,可瀏覽該公司網站,網址為www.diodes.com

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