RASMID新陣容、TVS二極體「VS3V3BxxFS系列」研發成功
前言：
0402尺寸為全球最小，能協助智慧型手機等裝置進一步高密度安裝
2016年1月13日--半導體製造商ROHM株式會社（總公司：日本京都市）因應市場不斷擴大的智慧型手機和穿戴式裝置，研發出尺寸0402（0.4×0.2mm）產品，為業界最小的TVS二極體「VS3V3BxxFS系列」。
此次研發的新產品，為ROHM半導體全球最小零件「RASMIDⓇ（ROHM Advanced Smart Micro Device）系列」陣容之一。和傳統的尺寸0603（0.6×0.3mm）產品相比，面積減少56％、體積減少81%。尺寸成功做到業界最小，有助於協助智慧型手機等裝置高密度安裝。
本產品的樣品預定從2015年10月開始出貨（20日圓/個：未稅），2016年1月起以月產量500萬個的規模投入量產。前製程、後製程的工廠都位在ROHM Apollo株式會社（福岡縣）。
近年來，針對智慧型手機和穿戴式終端裝置等移動式裝置，市場日益要求小型化和延長電池壽命。另外，為了保護各種電子裝置的電路不受到靜電等傷害（ESD：Electro Static Discharge），開始使用齊納二極體和低容量的保護二極體。這類保護用二極體，除了要能增加裝置的功能外，還必須體積小、具備高ESD保護能力才行，相較於其他二極體，多工的TVS二極體需求日漸增加。
在此之下，ROHM採用不同以往的全新製程，成功做到小型化、令人驚豔的尺寸精度（±10μm），並定位在全球最小零件的RASMIDⓇ系列產品內，擴大產品陣容。此次，除了小型化之外，還能確保高ESD保護功能、回應低電壓電路需求的TVS二極體最新系列。ROHM以本次的二極體產品，正式進軍TVS二極體市場。
RASMIDⓇ系列 研發狀況
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產品名稱 |
型號 |
尺寸 |
樣品開始出貨 |
開始量產時期 |
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晶片電阻 |
SMR003 |
03015（0.3×0.15mm） |
2012年1月 |
2013年10月 （2014年4月正式量產） |
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晶片電阻 |
SMR002 |
0201（0.25×0.125mm） |
2015年12月 |
2016年6月 |
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齊納二極體 |
FDZ |
0402（0.4×0.2mm） |
2012年10月 |
2014年1月 |
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蕭特基二極體 |
RB521FS-30 |
0402（0.4×0.2mm） |
2013年10月 |
2014年1月 |
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TVS二極體 |
VS3V3BxxFS |
0402（0.4×0.2mm） |
2015年10月 |
預定2016年1月 |
特點:
1.RASMIDⓇ系列3大特點
①採用全新製程， 成功做出超小型零件
RASMIDⓇ系列特點之一，即是採用獨家全新製程，研發出尺寸0402（0.4×0.2mm）全球最小的TVS二極體。和以往的0603尺寸（0.6×0.3mm）相比，面積減少56％、體積減少81%，有助於協助智慧型手機、穿戴式機器等必須小型・薄型化的各種機器高功能化、小型化。
RASMIDⓇ系列特點之一，即是採用獨家全新製程，研發出尺寸0402（0.4×0.2mm）全球最小的TVS二極體。和以往的0603尺寸（0.6×0.3mm）相比，面積減少56％、體積減少81%，有助於協助智慧型手機、穿戴式機器等必須小型・薄型化的各種機器高功能化、小型化。
②成功做到令人驚豔的尺寸精度±10μm
尺寸精度極高，達到±10μm，因此零件甚少尺寸不一，且能夠高密度安裝。
尺寸精度極高，達到±10μm，因此零件甚少尺寸不一，且能夠高密度安裝。
③高可靠構造
採用金電極，提升焊接的潤濕度。此外，RASMIDⓇ系列的晶片側邊，使用了獨有的切割加工技術。平坦度相較於舊有產品大幅成長，也能夠承受來自於外界的衝擊，提升強度，不易破裂缺損。此外，再進一步於平坦的側面覆蓋上一層絕緣膜，可以防止偶然發生錫球造成的漏電。
採用金電極，提升焊接的潤濕度。此外，RASMIDⓇ系列的晶片側邊，使用了獨有的切割加工技術。平坦度相較於舊有產品大幅成長，也能夠承受來自於外界的衝擊，提升強度，不易破裂缺損。此外，再進一步於平坦的側面覆蓋上一層絕緣膜，可以防止偶然發生錫球造成的漏電。
2.因應低電壓電路的需求，隔絕電壓（VRWM）降至3.3V
為了做到延長電池壽命的目標，近年來對於低電壓線路的需求愈來愈高。若要做到小型化，而且減少和低電壓線路直接連結的隔絕電壓，就必降低漏電流才行。此次研發的RASMIDⓇ系列之一TVS二極體，結合齊納崩潰和雙極性技術，同時達到低漏電流和低電壓。隔絕電壓（VRWM）只有3.3V，進一步節省裝置的功耗。
3.擁有和以往5.0V產品相同的高ESD保護能力
藉由將構造優化，確保擁有以往0603尺寸5.0V產品同等的高ESD保護能力。除了縮小零件的體積外，還能夠防止靜電破壞線路和故障，以及降低在應用上的負擔。
＜應用裝置電路範例＞
