東芝針對行動裝置和消費應用推出業界領先小型封裝N-channel MOSFET驅動IC
前言：
內建保護功能並適合快速充電和其他大電流電源應用
2017年9月28日--東芝電子元件及儲存裝置株式會社今日(9月28日)宣布推出兩款TCK401G（高電位作動[1]）和TCK402G（低電位作動[2]）N-channel MOSFET驅動IC，該產品支援最高可達28V的輸入電壓，適合快速充電和需要大電流電源的其他應用。新MOSFET驅動IC的量產出貨即日啟動。
此兩款IC具備多種內建保護功能，包括過壓保護、浪湧電流抑制和自動輸出放電功能，但依然採用業界領先的WCSP6E小型封裝，尺寸為0.8mm × 1.2mm × 0.55mm（標準值）[3]。
可利用一個配有外部N-channel MOSFET的驅動器實現高效率電源電路，其中該MOSFET具備適合於目標應用的最大額定電壓和導通電阻。例如，新型MOSFET驅動器和低導通電阻SSM6K513NU MOSFET相結合適合於行動裝置和消費應用，其可在較小空間內建構100W等級電源電路。
應用領域
行動裝置
消費型設備
產品特點
1. 低靜態電流: IB(ON1) = 0.34μA（標準值）
2. 高紋波抑制比: R.R.= 70dB（標準值）
3. 高速負載暫態回應: ⊿VOUT = 60mV（標準值）
主要規格
主要規格
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項目 |
TCK401G |
TCK402G |
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絕對最大額定值 |
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輸入電壓 VIN (V) |
40 |
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電器特性 |
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輸入工作電壓 VIN_opr (V) |
2.7 to 28 |
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輸入靜態電流 IQ(ON) typ. (μA) |
121 |
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閘極驅動電壓 |
VIN = 3 V |
4 |
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VIN = 5 V |
6.5 |
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VIN = 9 V |
6.5 |
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12V≦VIN≦28V |
6.5 |
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VGATE ON time |
0.58 |
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VGATE OFF time |
16.6 |
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備註：
[1] 當模式控制輸入端子處於高態時，則外部MOSFET導通。當模式控制輸入端子處於低態時，則外部MOSFET關斷。
[2] 當模式控制輸入端子處於低態時，則外部MOSFET導通。當模式控制輸入端子處於高態時，則外部MOSFET關斷。
[3] 一種N通道MOSFET驅動IC，截至2017年9月27日。東芝電子元件及儲存裝置株式會社調查。
[4] 自VCT達到VIH值一半之時起，VGATE達到規定值所耗時間。
台灣東芝電子零組件股份有限公司 (TET) 簡介
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