嵌入式非揮發性記憶體矽智財領導廠商力旺電子今日宣布，其嵌入式多次可程式(Multiple Times Programmable, MTP)記憶體矽智財NeoEE，已於國際領導晶圓代工廠之65奈米製程平台通過電性驗證，預計將於2012年年底完成可靠度驗證；而0.18微米、0.16微米與0.11微米之NeoEE技術平台亦已於亞太地區之主要晶圓代工廠通過驗證，將能提供佈局更完整且更具成本優勢之多次寫入嵌入式非揮發性記憶體矽智財，預期將能應用於近場無線通訊(Near Field Communication, NFC)、2.4GHz RFIC、無線辨識系統標籤(RFID Tag)與藍芽控制晶片(Bluetooth Controller)等SoC相關應用產品上。
NeoEE 為嵌入式非揮發性、高讀寫次數記憶體技術，其特色為結構簡單，抹寫次數可高達1萬至10萬次，由於與現有邏輯製程完全相容，無需外加任何光罩即可整合至不同類型之製程平台，故代工廠導入成本極低。NeoEE並具備低功率消耗與具競爭力之矽智財尺寸等卓越優勢，可提供EEPROM架構或是Flash架構兩種模式的功能區塊，其主要功能為應用於消費性電子中儲存晶片所需要的配對密碼、系統執行的相關設定資料與使用狀態等，極符合中、低容量卻需要高可靠度之消費型電子產品嵌入使用。
NeoBit深獲廣大客戶之好評與廣泛使用，多次可程式記憶體矽智財NeoFlash與NeoEE亦漸在市場中嶄露頭角，已與多家聯盟夥伴策略合作共同佈局。完整的嵌入式非揮發性記憶體技術佈局將可以提供客戶最佳的產品規劃、最適的產品規格與最廣的製程平台選擇，在競爭激烈的電子產業中，晶片設計業者將可以具備更有利的地位來強化產品競爭力。目前力旺電子針對NeoEE先期導入客戶將提供優惠服務，非常歡迎相關應用領域客戶與我們進一步洽談合作事宜。」
2012年7月24日-力旺電子總經理沈士傑表示：「力旺電子為嵌入式非揮發性記憶體技術與矽智財產業之領導者，其有深厚的記憶體元件技術與電路開發之基礎與能力，熟稔記憶元件操作機制與其可能引發的可靠性問題，在面對客戶追求高可靠度與低使用門檻的期待，採用業界公認可靠的元件操作模式，減低不良操作對氧化層的傷害，以提高客戶在大量生產時之穩定良率。力旺電子除單次可程式記憶體矽智財
力旺電子嵌入式非揮發性記憶體矽智財之客戶累積量產晶圓規模已突破400萬片，於全球16家晶圓代工廠廣佈製程平台，可應用於超過四百多種電子產品之中，範圍涵蓋消費性電子、工規與車規應用市場。展望將來，力旺電子將提供完整的嵌入式非揮發性記憶體技術與平台佈局，包含先進製程之單次寫入與高容量多次寫入嵌入式非揮發性記憶體之應用市場，使力旺電子之嵌入式非揮發性記憶體解決方案可佈建於各類型製程平台，提供不同領域客戶從低階至高階完整之產品線。
關於力旺電子：
力旺電子成立於2000年8月，專注於邏輯製程嵌入式非揮發性記憶體矽智財開發。自成立迄今，力旺電子投入研發自有創新技術，開發出NeoBit (一次性與多次性讀寫編程元件)，NeoFlash (1萬次以上重複讀寫編程元件)與NeoEE (10萬次以上重複讀寫編程元件)等領先性產品，並持續發展先進技術，致力於提供客戶應用範圍廣泛的矽智財技術服務、非揮發性記憶體元件與嵌入式記憶體應用等，為全方位之嵌入式非揮發性記憶體矽智財供應商。力旺電子目前擁有約200名員工，並於財團法人中華民國證券櫃檯買賣中心(代號3529)上櫃交易。
