2012年9月5日 —為全球半導體產業和相關市場提供先進晶圓製造解決方案的領導廠商SPTS 科技公司今天發表其乾式蝕刻技術中，一項稱爲矽通孔露出(via reveal)的製程方案。業界的領先產品Pegasus Rapier模組已被各大重要客戶所裝置並成爲優選製程技術。與最接近的競爭系統相比，它能提供至少快兩倍的矽晶蝕刻速率，並能為12吋接合(bonded) TSV(矽穿孔)晶圓帶來領先同類產品的+/- 2.5%均勻度，以及提供業界唯一的ReViaTM通孔露出終點偵測(endpoint)系統。
通孔露出，或稱為後TSV(post-TSV)製程是在矽穿孔成型後進行的。晶圓會在載具上暫時地接合、翻轉、並將埋入的TSV磨平5-10微米。然後，磨平的矽表面會針對TSV襯裡(liner)氧化物進行乾式蝕刻，將填充銅材料的通孔露出約5微米高度。在矽晶蝕刻後，這些通孔末端會進一步以電介質鈍化(passivate)，再以化學機械研磨(CMP)拋光，以便暴露出銅材料供RDL(重新分配層，redistribution layer)金屬化之用。
TSV晶圓厚度、載具晶圓厚度、接合層均勻度、TSV蝕刻均勻度和背面磨平均勻度都是顯著影響進料總厚度差異(TTV)的重要因素，不良的TTV會對後續製程帶來問題。SPTS的 Pegasus Rapier模組能以其雙電漿源(dual source)設計提供靈活的多重模式運作。在主要模式中，能達成最佳蝕刻深度均勻度至3mm的邊緣排除(edge exclusion)區域，以保留「優質」TTV進料晶圓。若有需要，也可使用以中央快速(centre-fast)或邊緣快速(edge-fast) 蝕刻方式進行，以修正「問題」的進料TTV，以提供更均勻的出料晶圓。
由於研磨率的不確定性，因此能在原地偵測通孔露出的位置點至關重要。如果沒有終點系統，使用者必須分別地在每一片晶圓TSV的上方量測矽晶厚度，並依此調整蝕刻時間，這會增加製程成本、複雜度以及良率損失的風險。ReVia終點偵測系統是Pegasus Rapier模組獨有的功能，它能偵測出TSV露出的尖點，實現每片晶圓間一致的露出高度，以提升良率並避免廢料。本系統已經以終點系統進行通孔露出製程成功證明穿孔密度小於0.01%的晶圓的能力。。
SPTS 科技蝕刻產品行銷總監Dave Thomas博士表示：「蝕刻速率、均勻度控制和終點偵測，都是實現製造過程中單位晶粒最低成本與最高良率的主要因素，尤其是針對價值非常高的晶圓來說，更是重要。我們創新的雙電漿源反應爐設計，再結合我們開發和整合創新終點偵測技術的優異能力，將使我們能在先進封裝市場維持領導地位。」
關於SPTS科技公司
SPTS 科技(Bridgepoint 旗下股份公司)是一家致力於為微機電系統 (MEMS)、先進封裝、LED、砷化鎵 (GaAs) 高速射頻元件和功率管理元件市場設計、製造、銷售和支援蝕刻、PVD、CVD、以及傳熱晶圓處理系統的公司。公司在英國紐波特，美國聖荷西和賓州阿倫敦鎮設有製造基地，業務遍及歐洲，北美和亞太地區的十九個國家。欲瞭解有關 SPTS 科技的更多訊息，請瀏覽 www.spts.com
