2012年11月8日– X-FAB Silicon Foundries今日發表XT018，世界首創180奈米200V MOS的獨立溝槽電介質(SOI)的代工製程。這種完全隔離型的模組化製程讓不同電壓的區塊能夠整合在單一晶片上，大幅減少了印刷電路板的元件數量，也避免栓鎖效應(latch-up)更提供對抗電磁干擾的卓越性。
XT018 SOI技術是市面上唯一的180nm代工製程，適用於100V到200V電壓範圍的應用。XT018適合需要雙向隔離的消費性、醫療、通信和工業應用，例如PoE、超音波傳送器、壓力作動器與電容驅動的微機械系統。
這項新技術以1.8V/5.0V的I/O與多達6層金屬的180nm製程，結合了完全隔離的MOS元件來實現高壓汲極(high-voltage drain)。獨特的製程架構運用超接面(super-junction)結構與專利型的高壓端隔離MOS元件，實現精巧的Ron設計，100V NMOS元件為0.3mm² 、200V NMOS元件為1.1mm²。在low side與high side的操作中，HV MOS元件均擁有相同的特性參數。
XT018的製程模組中有5V-only的模組適用於類比的應用，還有HVnmos與HVpmos模組可分別選擇。這項技術完全適用於-40°C到175°C的溫度範圍。
除了HV電晶體之外，XT018提供一層厚的金屬層以支援大電流繞線、隔離型的10V MOS、基本的junction diodes與bipolar、中高阻值的poly電阻、高面積效益的MIM電容(2.2至
X-FAB高壓產品線行銷經理Sebastian Schmidt表示：「我們的XT018技術提供卓越的電介質高壓隔離。這種隔離讓設計工作更容易地達到較短的創新過程，簡單明確而且可以加快前期導入市場的時間。」
XT018 設計套件已經完備，設計人員可立即著手設計。
X-FAB將在今年稍後舉辦一場全新XT018製程的網路研討會。
X-FAB公司簡介
X-FAB是先進的類比/數位/混合訊號積體電路的製造服務業者。X-FAB全球約有2400名員工，在德國的艾爾芙福(Erfurt)與德勒斯登(Dresden)、美國德州的樂波(Lubbock)、馬來西亞沙勞越的古晉(Kuching)各有一座晶圓廠。包含MEMS技術，製程平台以先進的CMOS與BiCMOS模組化為基礎，搭配1.0到0.13微米的技術，涵蓋汽車、通信、消費、與工業領域的各種應用。相關資訊，請上網查詢 www.xfab.com
