2013年3月1４日--橫跨多重電子應用領域、全球領先的半導體供應商意法半導體（STMicroelectronics，簡稱ST；紐約證券交易所代碼：STM）宣佈，其28奈米FD-SOI技術平台在測試中再度取得重大階段性成功。繼去年12月公司宣佈系統單晶片（SoC）整合電路成功投產後，意法半導體又宣佈其法國Crolles工廠生產的應用處理器引擎晶片工作頻率達到3GHz，在指定的工作頻率下新產品能效高於其它現有技術。
此前，多家企業相繼推出了FD-SOI技術。根據摩爾定律，晶片上的電晶體數量約每兩年增加一倍，過去50年來半導體工業始終遵循摩爾定律，連續縮減電晶體的尺寸。電晶體本質上是微型on/off開關。隨著電晶體尺寸縮減導致晶片密度提高，消費性電子產品增加了很多令人興奮的功能，且產品價格降至消費者預期水準。同時，這些新功能的執行速度非常快，用戶透過鍵盤、觸控螢幕、語音發佈命令，手機可即刻做出回應。
現在，當這些電晶體縮減至奈米等級時，在大小相當於頭髮直徑的面積上，可容納約450個電晶體，物理學向採用平面CMOS技術製造的矽晶圓的傳統高速和低功耗優勢發出挑戰。在電路微型化的發展過程中，FD-SOI技術是一個重大的技術突破，應用處理器引擎執行速度達到3GHz，也代表FD-SOI技術將被應用於可攜式裝置、數位相機、遊戲機及各種應用ASIC。在下一代製程中，只有FD-SOI被證明能夠滿足行動工業的最高性能和最低功耗要求，這兩項要求對於提供令人震撼的繪圖和多媒體功能且不影響電池壽命至關重要。
意法半導體執行副總裁、數位娛樂事業部總經理暨技術長Jean-Marc Chery表示：「如我們當初預期，測試證明FD-SOI是一項簡易、快速及高能效的技術，我們完全預期到這項技術的工作速度能夠達到3GHz，而且設計方法與傳統CMOS製程相同。受益於完全空乏型（fully depleted）通道和反偏壓（back biasing），低功耗要求也符合我們的預期。」
意法半導體發現從28奈米傳統CMOS製程向28奈米FD-SOI移植代碼庫和物理IP十分簡易，因為不存在MOS歷史效應，使用傳統CAD工具和方法設計FD-SOI數位系統單晶片的過程與製程完全相同，從而進一步提高了研發設計的簡易性。FD-SOI能夠製造高能效的元件，必要時，動態基體偏壓（dynamic body-bias）讓元件能夠立即進入高性能模式，而在其餘時間保持在低漏電流模式，這對於應用軟體、作業系統和高速緩存系統均是完全透明的。與傳統CMOS製程相比，FD-SOI擁有更高的性能、更低的工作電壓及更高的能效。
關於意法半導體
意法半導體（STMicroelectronics；ST）是全球領先的半導體解決方案供應商，為感測及功率技術與多媒體融合應用領域提供創新的解決方案。從能源管理和節能技術，到數位信任和資料安全，從醫療健身設備，到智慧型消費性電子，從家電、汽車，到辦公設備，從工作到娛樂，意法半導體的微電子元件技術無所不在，在豐富人們的生活方面發揮著積極、創新的作用。意法半導體代表著科技帶動智慧生活（life.augmented）的理念。
意法半導體2012年淨收入84.9億美元。詳情請瀏覽意法半導體公司網站www.st.com。
