2013年6月17日--全球射頻(RF)功率電晶體領導廠商飛思卡爾半導體(NYSE: FSL)今天宣布，將展開一連串動作，展示其現有暨新開發的RF功率及微波RF元件，如何能夠滿足美國航太及國防(A&D)市場的需求。
該公司計畫以全新的氮化鎵(GaN) RF功率電晶體產品、超過400種的可靠LDMOS RF功率電晶體、以及砷化鎵(GaAs)單體微波積體電路(MMIC)產品，來支援廣泛的A&D應用。這些飛思卡爾的產品將有專屬的、擅長A&D市場與客戶的專業團隊負責支援。
飛思卡爾RF業務資深副總裁暨總經理Ritu Favre表示：｢飛思卡爾擁有60年以上的RF功率創意和經驗，而我們也期盼能夠將現在RF功率電晶體的領導地位，轉移到成長中的A&D市場。A&D設備製造商可望受惠於飛思卡爾長久以來與客戶密切合作的經驗，創造出超值的解決方案，兼具傑出效能、可靠性及最堅強的韌性。」
根據ABI Research的分析師指出，以國防市場為主的RF功率元件全球銷售量(在4 GHz以下、輸出功率在4瓦以上)，2018年時將達到1億4千4百萬美金。
ABI Research的RF元件研究主管Lance Wilson表示：｢多年以來，飛思卡爾早已是無線基礎設施的RF功率元件領域的市場龍頭。如此的經驗與專業將有助於他們步入其他的RF功率市場領域，包括A&D。」
RF創意的過往：如今延伸至航太國防領域
飛思卡爾的RF業務(即先前摩托羅拉半導體產品事業部的一部分)，自從1952年推出第一種元件以來，在RF功率電晶體的發展經驗及專業上已經超過60年。自當時以來，飛思卡爾已成為全球無線基礎設施專用LDMOS RF功率電晶體的領導廠
商，每年的產量超過3千萬顆。飛思卡爾擁有RF功率市場上唯一一座位於美國境內的LDMOS元件製造廠、以及最終封裝用的製造設施。
商，每年的產量超過3千萬顆。飛思卡爾擁有RF功率市場上唯一一座位於美國境內的LDMOS元件製造廠、以及最終封裝用的製造設施。
該公司的Airfast™ LDMOS元件具備高度的線性特質、廣泛的瞬間頻寬、以及先進的塑膠封裝技術。飛思卡爾的LDMOS產品已經針對商業應用進行過｢特殊強化」，因此也很適合A&D的需求，有能力在超過65:1的極度不匹配的負載下運作(VSWR)，而且能夠抵禦靜電破壞(ESD)。該公司的LDMOS元件頻率範圍可達到3 GHz以上、RF功率輸出則達到1250瓦。飛思卡爾的GaAs MMIC元件可以支援的應用範圍超過5 GHz，同時還包括了增益區塊放大器、功率放大器(高達4瓦)、以及雜訊低到僅有0.35 dB的低雜訊放大器。飛思卡爾並預計於2013年底時推出首款GaN RF功率電晶體。
這些傑出的體驗與世界級的技術，還有一群專注A&D市場的RF專家團隊加以輔助，提供技術與應用的支援。飛思卡爾的RF A&D團隊是由飛思卡爾資深的技術人員所帶領，擁有超過30年RF功率電晶體的資歷，不論是設計工程還是執行管理面都經驗豐富。再加上有一位行銷與銷售經驗超過40年的前任飛思卡爾RF功率業務行銷主管襄助。飛思卡爾的產品將有專屬的行銷、專案管理、應用、法規及其他擅長A&D市場與客戶的專業團隊予以支援。
關於飛思卡爾
飛思卡爾半導體(美國紐約證券交易所代號FSL)是內嵌式處理解決方案的世界級領導者，產品廣泛用於汽車、消費電子、工業、及網路市場。從微處理器及微控制器到感測器、類比整合電路及連結，是促使我們的世界更綠色環保、安全、健康、且更相連的創新的基礎技術。其中某些關鍵性的應用及終端市場包括：汽車安全、油電混合及純電動車輛、下一代無線基礎建設、智慧型能源管理、行動式醫療裝置、消費性產品及智慧型行動裝置。本公司總部位於美國德州奧斯丁市，在全球各地分設有設計、研發、製造、及銷售據點。www.freescale.com
