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ARM與聯華電子擴大28奈米IP合作 鎖定平價行動與消費性應用

本文作者:ARM       點擊: 2014-01-14 14:39
前言:

2014114--全球IP矽智財授權領導廠商ARM®與全球晶圓專工大廠聯華電子今(14)宣布擴大合作協議,將提供ARM Artisan®實體IPPOP IP供聯電28HLP製程使用。

 

針對鎖定智慧手機、平板、無線與數位家庭等各式消費性應用的客戶,聯華電子與ARM將透過本協議,提供先進製程技術與全方位實體IP平台。

 

聯華電子負責矽智財研發設計支援的簡山傑副總指出:「聯電秉持著『United for Excellence』共創卓越的精神,與我們的IP供應商通力合作,為晶圓專工客戶提供高價值的設計支援解決方案。聯電28奈米雙製程發展路徑包括了多晶矽(poly SiON)與高介電常數金屬閘極(HKMG)技術。無論是在功耗、效能與晶片面積等各個層面,28HLP製程均是晶圓專工業界最具競爭力的多晶矽28奈米技術,還有強大的設計平台可協助行動與通訊產業客戶加速產品上市時間。我們很高興能擴大與ARM之間的合作關係,以ARM大受歡迎的POP IP核心硬化加速技術(core-hardening acceleration technology),進一步強化我們的28HLP平台。」

 

低耗能的ARM Cortex®-A7處理器已廣為智慧手機、平板、數位電視等消費性產品所採用。Cortex-A7處理器的ARM POP IP鎖定聯電1.2GHz28HLP平台,已於201312月開始出貨。

 

聯電28HLP製程為其28奈米多晶矽製程的加強版,可在體積、速度與耗電之間取得最佳化平衡。該製程因上述特色,成為可攜式、無線區域網路、有線/手持式消費性產品等具有低耗電高效能需求的各式應用之最佳選擇。聯電目前正針對客戶產品以28HLP製程進行試產,預計2014年初開始量產。

 

ARM執行副總裁兼實體設計部門總經理Dipesh Patel則表示:「透過與聯華電子的緊密合作,ARM的實體IPPOP IP能夠優化系統單晶片(SoC)並簡化設計流程,讓雙方共同客戶取得世界級的實作成績,並在最短的時間內推出產品上市。本公司的標準元件(standard cell)、次世代記憶體編譯器與POP IP,不但具備聯電客戶所需要的功能、品質與晶片驗證,也讓ARM得以實現諾言,為各大晶圓代工廠提供最佳的實體IP平台。」

 

ARM實體IP平台(ARM Physical IP Platform

ARM針對聯電28奈米多晶矽製程所提供的Artisan實體IP平台,為高效能、低耗電系統單晶片設計提供了建構基礎。ARMIP平台已取得晶片驗證,能提供全方位的記憶體編譯器、標準電路元與邏輯,還有通用型介面產品,能滿足行動通訊與運算在效能及耗電方面的嚴苛需求。

 

ARM的標準電路元件庫與記憶體編譯器整合了多通道以及各種Vt功能,能夠提供更為廣泛的效能與功耗頻譜,並運用了聯電先進多晶矽製程的效能與功率範圍。這些特色,可確保效能極為要求的系統單晶片設計能同時符合功耗預算。

 

關於POP IP

POP IP技術則包含優化ARM處理器的三項要素:針對特定ARM核心與製程調校的Artisan®實體IP邏輯庫與記憶體實例、提供詳細條件和效能優化的基準報告,以及詳細的POP實作知識與方法,讓客戶可以快速且成功的發展終端產品並將風險減至最低。POP IP產品支援40奈米至28奈米製程,並針對範圍廣泛的Cortex-A系列處理器與Mali圖形處理器(GPU)推出了FinFET製程的技術支援藍圖。

 

關於聯華電子

聯華電子為世界一流的晶圓專工公司,為IC產業各大領域相關應用提供先進的技術與製造服務。聯電強大的晶圓專工解決方案,讓晶片設計人員能善加利用該公司28奈米多晶矽、閘極後製HKMG技術、混合訊號/射頻互補金屬氧化半導體(RFCMOS)等特殊先進製程。生產面則有10座晶圓廠以為後援,其中包括2座最先進的12吋晶圓廠(台灣Fab 12A廠以及新加坡Fab 12i廠)。Fab 12A已完成14期廠房,專工製程最先進可達28奈米。目前第5與第6期廠房正在興建,第7與第8期則在規劃中。聯電全球員工總數超過15千人,在台灣、中國大陸、歐洲、日本、韓國、新加坡與美國均設有據點。聯電官網請見:http://www.umc.com

 

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