2014年2月10日--嵌入式非揮發性記憶體領導廠商力旺電子宣佈，與世界先進積體電路公司合作之0.16微米高壓製程嵌入式快閃記憶體NeoFlash矽智財，規格已由原先之消費性電子應用範圍強化至工業等級，大幅提升資料在嚴苛的工業環境留存能力，可支援對高溫操作環境有嚴格要求之客戶。此成果為NeoFlash繼應用於觸控晶片與電池容量偵測晶片後之重要製程突破，將可使產品應用範圍自消費性電子擴大至高階工業規格領域，如工業機具、製造設備與醫療器材等。目前此解決方案已成功通過可靠度驗證，即日起可供該公司客戶量產使用。
力旺電子所提供之0.16微米高壓製程嵌入式快閃記憶體NeoFlash矽智財規格增強至125℃/10年，讀取速度高達40ns，更適用於對環境要求與性能表現更為嚴苛之工業產品，如ARM Cortex-M0微控制器之需求，可協助客戶自消費性電子市場跨越至工業規格範疇，進階擴展應用產品版圖。力旺電子之嵌入式快閃記憶體NeoFlash矽智財因與邏輯製程完全相容，與高壓製程整合性高，僅需外加2道光罩，即可於高壓製程平台實現儲存功能，與其它嵌入式快閃記憶體至少需外加7至9道光罩相比，可大幅減輕晶圓製造成本。另外，若客戶在成本和功能的平衡上需要更多元化的解決方案，亦可選搭力旺電子特有之混合式嵌入式非揮發性記憶體解決方案，突顯產品差異化優勢，推出定位更精準的產品。
力旺電子總經理沈士傑表示：“力旺電子與世界先進成功完成0.16微米NeoFlash之產品驗證為雙方合作的重要里程碑，透過雙方積極建構單次可程式與多次可程式嵌入式非揮發性記憶體技術佈局，將可彈性因應與時俱變的需求，提供最適中的eNVM解決方案，並進一步協助客戶拓展產品應用領域，創造策略性市場。未來，力旺電子將與世界先進保持密切合作，以滿足客戶對專業化嵌入式非揮發性記憶體技術平台之期待。”
繼嵌入式快閃記憶體NeoFlash技術提升至工業規格應用領域，進入成熟量產後，力旺電子與世界先進期望持續利用雙方優勢，以卓越的技術與支援服務，共同打造功能性更高、整合性更佳的利基型製程平台，為客戶創造戰略化之商機。
關於力旺電子：
力旺電子成立於2000年8月，專注於邏輯製程嵌入式非揮發性記憶體矽智財開發。自成立迄今，力旺電子投入研發自有創新技術，開發出NeoBit(一次性與多次性讀寫編程元件)、NeoFuse(一次性與多次性讀寫編程元件)、NeoMTP(1千次以上重複讀寫編程元件)、NeoFlash(1萬次以上重複讀寫編程元件)、NeoEE(10萬次以上重複讀寫編程元件)等領先性產品，並持續發展先進技術，致力於提供客戶廣泛的矽智財技術服務、非揮發性記憶體元件與嵌入式記憶體應用等，為全方位之嵌入式非揮發性記憶體矽智財供應商。力旺電子目前擁有約210名員工，並於財團法人中華民國證券櫃檯買賣中心(代號3529)上櫃交易。
