2014年3月3日--法國微電子研究機構CEA-Leti與意法半導體攜手展示了一個基於28奈米超薄體以及下埋氧化層（UTBB，ultra-thin body buried-oxide）FD-SOI技術的超寬電壓範圍（UWVR，ultra-wide-voltage range）數位訊號處理器（DSP，digital signal processor）。
該元件由意法半導體採用28奈米超薄體以及下埋氧化層的完全空乏型矽絕緣層金氧半電晶體元件（fully-depleted silicon-on-insulator，FD-SOI）製程，基底電壓（body-bias-voltage）調壓範圍0V至+2V，可降低電路最低工作電壓，在400mV時支援460MHz時鐘頻率（clock-frequency）。
透過整合雙方的設計技術，展品取得了超寬的電壓範圍、更高能效和空前的電壓效率和頻率效率。意法半導體和Leti開發並最佳化了0.275V－1.2V標準單元庫：透過利用非重疊功率－性能特性，取得了理想的實現成果。在最佳化單元中，快速脈波觸發型正反器（fast pulse-triggered flip-flops）是針對低壓可變性容限設計。
此外，晶片內部時序餘裕監視器（timing-margin monitors）動態調整時鐘頻率，使其為最大工作頻率的百分之幾，時序調整與電源電壓值、基底電壓值（body-bias-voltage value）、溫度和製程無關。因此，即便在0.4V時，該數位訊號處理器工作頻率仍可提高9倍。
意法半導體設計支援服務部執行副總裁Philippe Magarshack表示：「超薄體以及下埋氧化層FD-SOI技術是意法半導體的速度更快、散熱更小、更簡單的解決方案，在性能和節能方面取得巨大進步，同時盡量減少了對現有設計和製造方法的調整和改變。本次展出的數位訊號處理器證明，FD-SOI在如何使用能效更高的直至10奈米的晶片設計更好的可攜式電池供電產品方面開創出一條新路。」
Leti部門副總裁暨設計和嵌入式系統平台業務主管Thierry Collette表示：「開發能夠充分發揮技術性能和能效優勢的先進設計方法，然後再利用這些方法設計最終適用於物聯網終端產品的專用元件，作為技術創新與上游工業之間的橋樑，Leti在這個過程中扮演著重要角色。」
於2014年2月12日舉辦的ISSCC第27屆「Energy-Efficient Digital Circuits」研討會上，Leti和意法半導體宣讀了合著論文「A 460MHz at 397mV, 2.6GHz at 1.3V, 32b VLIW DSP, Embedding Fmax Tracking」，並同時向與會者展示相關產品套件。
關於EA-Leti
以提高全世界人們的生活品質為使命，Leti致力於技術創新，並向企業帶來創新成果，在微型及奈米電子技術基礎研究與製造業之間架起一座產學合作橋樑。憑藉自有的2,200項專利組合，Leti與大型企業、中小企業和新創企業合作，提供客製化的半導體解決方案，協助合作夥伴提高市場競爭力。Leti成立了50餘家新創企業，擁有8,000m²的新一代無塵室，為從太空到智慧型裝置的各種微電子和奈米電子解決方案提供200mm和300mm晶片加工服務。Leti現有1,700餘名員工，其中包括來自合作企業的200名派遣人員。Leti總部位於法國格勒諾布爾，在美國加州矽谷和日本東京設有辦事處。詳情請瀏覽www.leti.fr。
關於意法半導體
意法半導體（STMicroelectronics；ST）是全球領先的半導體解決方案供應商，為感測及功率技術與多媒體融合應用領域提供創新的解決方案。從能源管理和節能技術，到數位信任和資料安全，從醫療健身設備，到智慧型消費性電子，從家電、汽車，到辦公設備，從工作到娛樂，意法半導體的微電子元件技術無所不在，在豐富人們的生活方面發揮著積極、創新的作用。意法半導體代表著科技帶動智慧生活（life.augmented）的理念。
