2014年4月10日--全球精品矽智財開發商円星科技(M31 Technology)宣布，已完成台積電55奈米嵌入式快閃記憶體製程技術(TSMC 55nm Leading-edge Embedded Flash Process Technology)的矽智財開發，將適用於高速的資料處理、繪圖運算、電源管理，以及手持式行動通訊之設計。此系列矽智財已通過TSMC9000驗證，可立即提供客戶設計整合使用。
隨著觸控感應器、微處理器，與智慧卡市場逐年不斷成長, 嵌入式快閃記憶體製程技術已廣泛應用於此相關應用的編碼儲存，以縮短設計週期並降低製造成本。
此次円星科技以台積電55奈米嵌入式快閃記憶體製程技術開發的矽智財，包括高密度標準元件庫(High Density Standard Cell)、1PRF SRAM編譯器(One Port Register File SRAM Compiler)、單埠SRAM編譯器(Single Port SRAM Compiler)、雙埠 SRAM編譯器(Dual Port SRAM Compiler)、Via ROM編譯器(Via ROM Compiler )以及USB2.0 OTG等矽智財。
看好全球觸控面板的需求成長、微處理器的出貨量增加，以及百億顆智慧卡晶片的商機，以55奈米嵌入式快閃記憶體製程開發的矽智財，將可協助客戶提升產品競爭力並拓展多元商機。
円星科技董事長林孝平表示，｢基於各種優異的技術特性，此矽智財目前已獲得知名國際觸控元件大廠的青睞並採用」。円星科技將持續開發、並推出更多以台積電55奈米嵌入式快閃記憶體製程技術的功能性矽智財，藉由其可靠的品質，協助客戶開發具低功耗與成本優勢的高競爭力產品。
