2014年7月7日--繼NeoBit矽智財展現強大量產動能，力旺電子宣佈NeoFuse矽智財已跨越量產門檻，量產規模持續累積中。NeoFuse矽智財可廣為使用在智慧型手機、行動裝置、穿戴式裝置以及物聯網、智慧家庭、醫療電子等熱門應用領域，並強化力旺電子在影像感測晶片(CMOS Image Sensors，CIS)、藍芽晶片(Bluetooth ICs)、Set-Top Box晶片與無線通訊晶片( Communication ICs)等領域之滲透與佈局，擴張力旺電子產品線之量產效益。
目前NeoFuse技術已建置在全球超過20項製程平台上，並順利協助客戶之CIS及顯示器驅動晶片(Display Driver ICs，DDI)應用產品進入規模量產階段，逐步升高對營收之貢獻。NeoFuse技術已佈局於0.11微米、65奈米、55奈米、40奈米與28奈米等製程世代，並於55奈米高壓及低功耗、40奈米低功耗、28奈米高介電常數金屬閘極(High-K Metal-Gate，HKMG)及CIS製程平台完成驗證。各製程世代的NeoFuse技術正快速導入於多家國際級晶圓代工廠，並且已有多家客戶採用NeoFuse矽智財於影像感測晶片、顯示器驅動晶片、Set-Top Box晶片等產品設計定案(tape-out)當中，量產效益值得期待。在NeoFuse技術各製程世代陸續增添量產動能之時，力旺電子更持續展開FinFET等製程技術之開發計畫，以積極掌握產業之發展趨勢。
力旺電子之嵌入式非揮發性記憶體矽智財解決方案，具備完整的產品線與製程平台佈局，能夠滿足各種應用領域之需求。客戶量產晶圓片數多年來連續呈現2位數之成長，繼2013年初達到五百萬片後，其多元產品線矽智財之累計客戶量產晶圓持續呈現快速成長之趨勢，2013年單一年度更打破歷年記錄，以超過33%的成長率，累計已突破八百萬片，再創量產里程碑。該成長主要受惠於電源管理晶片(Power Management ICs，PMIC)、顯示器驅動晶片(Display Driver ICs，DDI)、微控制器(Microcontrollers，MCU)、感測晶片(MEMS Controllers，MEMS)、觸控晶片(Touch Panel Controllers，TPC)、射頻晶片(Radio Frequency ICs，RFIC)等應用領域之發展。
力旺電子之嵌入式非揮發性記憶體技術佈局，涵蓋0.5微米至28奈米之邏輯、高壓、矽鍺、無線射頻、及混合信號等製程平台。力旺電子開發之矽智財已成功導入全球超過2400項新產品設計授權案(design license)，廣泛應用於智慧型手機、行動裝置等主流消費性電子產品之中，從成熟量產至先進製程均具備最適解決方案之條件，是晶圓代工廠及應用端客戶對於嵌入式非揮發性記憶體矽智財之最佳選擇。
關於力旺電子：
力旺電子成立於2000年8月，專注於邏輯製程嵌入式非揮發性記憶體矽智財開發。自成立迄今，力旺電子投入研發自有創新技術，開發出NeoBit(一次性與多次性讀寫編程元件)、NeoFuse(一次性與多次性讀寫編程元件)、NeoMTP(1千次以上重複讀寫編程元件)、NeoFlash(1萬次以上重複讀寫編程元件)、NeoEE(10萬次以上重複讀寫編程元件)等領先性產品，並持續發展先進技術，致力於提供客戶廣泛的矽智財技術服務、非揮發性記憶體元件與嵌入式記憶體應用等，為全方位之嵌入式非揮發性記憶體矽智財供應商。力旺電子目前擁有約210名員工，並於財團法人中華民國證券櫃檯買賣中心(代號3529)上櫃交易。
力旺電子成立於2000年8月，專注於邏輯製程嵌入式非揮發性記憶體矽智財開發。自成立迄今，力旺電子投入研發自有創新技術，開發出NeoBit(一次性與多次性讀寫編程元件)、NeoFuse(一次性與多次性讀寫編程元件)、NeoMTP(1千次以上重複讀寫編程元件)、NeoFlash(1萬次以上重複讀寫編程元件)、NeoEE(10萬次以上重複讀寫編程元件)等領先性產品，並持續發展先進技術，致力於提供客戶廣泛的矽智財技術服務、非揮發性記憶體元件與嵌入式記憶體應用等，為全方位之嵌入式非揮發性記憶體矽智財供應商。力旺電子目前擁有約210名員工，並於財團法人中華民國證券櫃檯買賣中心(代號3529)上櫃交易。
