Sidense演示採用台積電16納米FinFET技術製造的一次性可程式設計位元單元
前言：
測試晶片顯示採用FinFET架構的1T-Fuse(TM)位元單元擁有成功的讀寫能力以及卓越的程式設計位元單元特性
2014年9月4日--領先的非易失性記憶體一次性可程式設計（OTP）智慧財產權（IP）內核開發商Sidense今天宣佈，公司以採用16納米CMOS FinFET工藝技術製造的測試晶片，成功演示了1T-OTP位元單元架構的讀寫能力。
Sidense創始人、首席技術官Wlodek Kurjanowicz表示："Sidense的嵌入式一次性可程式設計記憶體巨集業已被授權給客戶用於從0.18微米向下至28納米的設計，同時也被證明適用于20納米工藝技術。我們的分離通道1T-OTP宏被設計成隨著採用更小的工藝技術而具有更高的可擴展性。看到我們的理論在諸如FinFET這樣的新電晶體架構中得到驗證，我們感到非常高興。"
與20納米標準電晶體相比，三維16納米FinFET架構的性能更高、動態功耗更低、電晶體體積更小，而前者的優勢在於能讓設計師在一塊晶片上實現更多的功能。更為重要的是，FinFET架構消除了短通道效應及隨之而來的高洩漏電流，這兩個因素妨礙傳統平面電晶體器件的可擴展性。由於擁有這些屬性，利用FinFET架構設計的器件對那些要求高性能和最小功耗的細分市場（如移動計算、通信和物聯網上的高端處理器節點）具有很大的吸引力。
採用16納米工藝技術的初步測試結果證實位元單元工作正常，程式設計電壓與28納米的Sidense 1T-OTP差不多，且洩漏電流只有十分之一。程式設計位元單元特性與20納米和28納米位元單元相比一樣好甚至更好，具有卓越的後烘烤位元單元穩定性，並且已程式設計單元和未程式設計單元之間有非常大的餘量。
台積電（TSMC）設計基礎設施行銷部高級總監Suk Lee表示："台積電的16納米技術憑藉增強的速度性能和降低的功耗，是移動設備晶片設計的首選。非易失性記憶體現在和將來仍是移動設備的關鍵部件。採用這種工藝技術的Sidense一次性可程式設計器件取得良好的初步測試結果令人鼓舞。"
關於Sidense公司
Sidense公司提供適用於標準邏輯CMOS工藝的高密度、高可靠性和高安全性的非易失性一次性可程式設計（OTP）邏輯非易失性記憶體（LNVM）智權（IP）。公司已經獲得或正在申請的專利超過120項，公司提供基於創新型單晶體管1T-Fuse(TM)位元單元的OTP記憶體IP許可，1T-Fuse的製造過程不需要額外的掩模或工藝步驟。與快閃記憶體、掩模型ROM、eFuse及其他嵌入式和晶片外NVM技術相比，Sidense 1T-OTP宏提供了一個更好的現場可程式設計、高可靠性和高成本效益的解決方案，適合程式儲存、金鑰、類比信號調整和設備配置等多種用途。
目前已有125家公司，包括許多頂級無廠半導體製造商和IDM廠商，採用Sidense 1T-OTP作為超過400種晶片設計的NVM解決方案。客戶日益認識到，該解決方案能顯著降低成本和能耗，還為從移動和消費電子設備到高溫、高可靠性的汽車和工業電子設備等應用提供了更好的安全性和可靠性。該IP被提供給所有頂級半導體晶圓廠和精選的IDM廠商並得到它們的支持。Sidense總部在加拿大渥太華，並在世界各地設有銷售辦事處。瞭解更多詳情，請訪問：www.sidense.com 。
Sidense創始人、首席技術官Wlodek Kurjanowicz表示："Sidense的嵌入式一次性可程式設計記憶體巨集業已被授權給客戶用於從0.18微米向下至28納米的設計，同時也被證明適用于20納米工藝技術。我們的分離通道1T-OTP宏被設計成隨著採用更小的工藝技術而具有更高的可擴展性。看到我們的理論在諸如FinFET這樣的新電晶體架構中得到驗證，我們感到非常高興。"
與20納米標準電晶體相比，三維16納米FinFET架構的性能更高、動態功耗更低、電晶體體積更小，而前者的優勢在於能讓設計師在一塊晶片上實現更多的功能。更為重要的是，FinFET架構消除了短通道效應及隨之而來的高洩漏電流，這兩個因素妨礙傳統平面電晶體器件的可擴展性。由於擁有這些屬性，利用FinFET架構設計的器件對那些要求高性能和最小功耗的細分市場（如移動計算、通信和物聯網上的高端處理器節點）具有很大的吸引力。
採用16納米工藝技術的初步測試結果證實位元單元工作正常，程式設計電壓與28納米的Sidense 1T-OTP差不多，且洩漏電流只有十分之一。程式設計位元單元特性與20納米和28納米位元單元相比一樣好甚至更好，具有卓越的後烘烤位元單元穩定性，並且已程式設計單元和未程式設計單元之間有非常大的餘量。
台積電（TSMC）設計基礎設施行銷部高級總監Suk Lee表示："台積電的16納米技術憑藉增強的速度性能和降低的功耗，是移動設備晶片設計的首選。非易失性記憶體現在和將來仍是移動設備的關鍵部件。採用這種工藝技術的Sidense一次性可程式設計器件取得良好的初步測試結果令人鼓舞。"
關於Sidense公司
Sidense公司提供適用於標準邏輯CMOS工藝的高密度、高可靠性和高安全性的非易失性一次性可程式設計（OTP）邏輯非易失性記憶體（LNVM）智權（IP）。公司已經獲得或正在申請的專利超過120項，公司提供基於創新型單晶體管1T-Fuse(TM)位元單元的OTP記憶體IP許可，1T-Fuse的製造過程不需要額外的掩模或工藝步驟。與快閃記憶體、掩模型ROM、eFuse及其他嵌入式和晶片外NVM技術相比，Sidense 1T-OTP宏提供了一個更好的現場可程式設計、高可靠性和高成本效益的解決方案，適合程式儲存、金鑰、類比信號調整和設備配置等多種用途。
目前已有125家公司，包括許多頂級無廠半導體製造商和IDM廠商，採用Sidense 1T-OTP作為超過400種晶片設計的NVM解決方案。客戶日益認識到，該解決方案能顯著降低成本和能耗，還為從移動和消費電子設備到高溫、高可靠性的汽車和工業電子設備等應用提供了更好的安全性和可靠性。該IP被提供給所有頂級半導體晶圓廠和精選的IDM廠商並得到它們的支持。Sidense總部在加拿大渥太華，並在世界各地設有銷售辦事處。瞭解更多詳情，請訪問：www.sidense.com 。
