2015年3月19日--英飛凌科技股份有限公司 (FSE: IFX / OTCQX: IFNNY) 今日宣布擴展其矽基板氮化鎵 (GaN) 技術及產品組合。現今英飛凌同時提供增強模式與疊接組態 GaN 平台，針對需要極佳能源效率之應用進行最佳化，包括用於伺服器、電信、行動電源及消費性產品如 D 級音訊系統的切換式電源供應器 (SMPS)。GaN 技術大幅縮減電源供應器的體積與重量，將為終端產品如超薄 LED 電視等帶來新的契機。
英飛凌電源管理及多元電子事業處總裁 Andreas Urschitz 表示：「英飛凌的矽基板氮化鎵系列產品結合所收購國際整流器公司 (International Rectifier) 的 GaN 平台以及我們與 Panasonic 的合作案，讓英飛凌在極富前景的 GaN 市場中確實掌握技術領導地位。依據我們「從產品思維到系統洞察」的做法，現在我們的客戶可依據其應用或系統需求，選擇增強模式或疊接組態。同時，英飛凌致力於開發表面黏著裝置 (SMD) 封裝與 IC，將可進一步充分發揮小尺寸 GaN 的優異效能。舉例來說，運用我們的 GaN 技術，目前市場上的筆電充電器將可由尺寸與重量縮小至四分之一的充電器取代。」
英飛凌新推出的產品將包括專屬驅動器與控制器 IC，以充分運用 GaN 的優勢，應用於多種拓撲與更高的頻率。相關產品將透過收購國際整流器公司所獲得更廣泛的專利項目、矽基板氮化鎵磊晶製程以及 100V-600V 技術而獲得進一步的強化。 另外，透過與 Panasonic 公司的策略合作，英飛凌與 Panasonic 將共同推出採用 Panasonic 常關型 (增強模式) 矽基板氮化鎵電晶體結構並整合至英飛凌表面黏著裝置 (SMD) 封裝的產品，提供高效率、易用的 600V GaN 功率裝置以及雙重供貨管道的附加優勢。
因此，英飛凌已為客戶提供完整的系統專業知識以及業界最完整的 GaN 技術與產品。另外，英飛凌具備業界最佳的製造能力、產能以及採用英飛凌 SMD 封裝的常關型 GaN 功率裝置第二供應來源。
相較於矽晶技術解決方案，矽基板氮化鎵技術以更小的尺寸提供更高的功率密度及更高的效率，因此適合廣泛的應用，例如電視機電源供應器、D 級音頻放大器，以及伺服器與電信設備中所使用的 SMPS。根據 IHS 市場研究報告，功率半導體的矽基板氮化鎵市場的年複合成長率 (CAGR) 將達到 50%，產值將從 2014 年 1,500 萬美元成長至 2023 年的 8,000 萬美元。
上市時間
英飛凌與 Panasonic 公司將於美國北卡羅來納州夏洛特市舉行的 APEC 2015 ( 3 月 15-19 日) 中展示採用 DSO 封裝的 600V 70mΩ 產品，亦將同時展示增強模式與疊接組態技術。增強模式與疊接裝置的樣品將在簽訂保密切結書 (NDA) 的前提下提供客戶。中壓疊接裝置可提供予 D 級音頻客戶。
英飛凌與 Panasonic 公司將於美國北卡羅來納州夏洛特市舉行的 APEC 2015 ( 3 月 15-19 日) 中展示採用 DSO 封裝的 600V 70mΩ 產品，亦將同時展示增強模式與疊接組態技術。增強模式與疊接裝置的樣品將在簽訂保密切結書 (NDA) 的前提下提供客戶。中壓疊接裝置可提供予 D 級音頻客戶。
關於英飛凌
全球半導體領導廠商英飛凌 (Infineon Technologies AG) 提供各式半導體和系統方案，以因應現今社會的三大挑戰，包括能源效率 (energy efficiency)、移動性 (mobility)與安全性(security)。2014會計年度(截至9月底) 公司營收為43億歐元，全球員工約為29,800名。2015 年1月，英飛凌併購功率管理技術領導廠商美商國際整流器公司(International Rectifier，2014年會計年度營收為 11億美元，員工人數約4,200名)。
英飛凌於德國法蘭克福證券交易所上市(交易代碼：IFX)，並於美國櫃檯買賣中心OTCQX International Premier 掛牌(交易代碼：IFNNY)。
