2015年4月22日--全球半導體微影技術領導廠商艾司摩爾 (ASML) 今日宣佈接獲一家美國主要客戶的訂單— 至少採購15台EUV極紫外光微影系統。該客戶預計將EUV 微影系統用於未來先進製程中，支援其新世代產品的研發和試產。其中，2台NXE:3350B 預計於2015年底前完成出貨。
EUV 極紫外光微影技術是實現持續製程微縮的重要半導體曝光技術，相較於目前先進製程所使用的浸潤式(immersion)微影技術，EUV的好處是能夠簡化先進製程的製造工序，同時達到提升良率和縮短生產時間的效益。今年適逢摩爾定律發表50周年，EUV被半導體業界視為能讓摩爾定律往下延續的重要關鍵技術，可以讓晶片上覆載更多電晶體，同時降低晶片單位功能成本並提升能源效率。
ASML總裁暨執行長溫彼得 (Peter Wennink) 表示，「EUV 現在已經接近量產階段。在長期規劃和周邊支援系統(ecosystem) 的準備方面，EUV都獲得半導體業界的強力支持，預料這將啟動全球半導體產業的另一波創新。」
ASML EUV產品重點回顧
․2015年第一季，1台在客戶端的NXE: 3300B EUV系統已在測試中達到24小時內曝光超過1000片晶圓。ASML並已在多個客戶廠區開始進行EUV光源功率的升級作業。
․截至2015年第一季，ASML累積出貨8台 NXE:3300B EUV 系統。
․TSMC 於2014年11月下單的2台 NXE:3350B EUV 系統將於2015年完成出貨。此外，已經出貨到TSMC的2台NXE:3300B EUV系統也將升級到新一代的NXE:3350B。
關於EUV 在微影製程中，波長(wavelength)是其中一個決定影像解析度的關鍵因素。目前，先進製程使用的主流微影技術為浸潤式(immersion)微影，其光源波長為193奈米，而EUV或稱為極紫外光的波長則是13.5奈米。EUV因此能用一次曝光，就轉印出更小、解析度更好的電路圖，讓半導體製造商得以簡化製程工序、節省光罩成本。
關於ASML艾司摩爾
總部位於荷蘭的艾司摩爾是全球晶片微影設備的市場領導者。面對摩爾定律所帶來的技術挑戰，艾司摩爾不斷挑戰技術極限，讓終端消費者能夠用合理的價格買到功能越來越強大、尺寸越來越小的電子產品。30年來，艾司摩爾的成功來自於和客戶及供應商緊密合作所共同創造的領先技術、高效能的流程和優秀的員工。為了吸引國際頂尖人才，艾司摩爾致力於提供一個具啟發性的工作環境，讓全球優秀的工程師聚集在此工作、學習和分享。艾司摩爾在全球16個國家設有70個辦公室，員工超過14,000人，在台灣員工超過900人。ASML為荷蘭阿姆斯特丹證券交易所和美國NASDAQ上市公司。 更多關於艾司摩爾及其產品、職缺，請參閱 : www.asml.com
