2015年5月5日--力旺電子今日宣佈，其單次可程式 (One-Time Programmable, OTP) NeoFuse技術於16奈米鰭式電晶體(Fin Field-Effect Transistor，FinFET)製程平台成功完成驗證，並在今年度完成矽智財開發和導入客戶應用，28奈米方面亦已佈建於台灣、美國、中國地區多家晶圓代工廠之多晶矽氮氧化矽(Poly SiON)與高介電金屬閘極(High-K Metal Gate，HKMG)製程平台並進入量產階段，量產效益將持續擴張。
NeoFuse技術已於多家國際級晶圓代工廠之0.11微米、65奈米、55奈米、40奈米與28奈米的邏輯、高壓(High-Voltage，HV)、低電(Low-Power，LP)、超低電(Ultra-Low Power，ULP)等製程平台完成佈建並進入量產，並獲多家客戶採用，嵌入設計於影像感測晶片、影像訊號處理器(Image Signal Processor，ISP)、感測器中樞(Sensor Hub)、微機電控制晶片(MEMS Controller)、安全微控制器(Security Microcontroller Unit，Security MCU)與DRAM修護(DRAM Repair)等應用領域。
NeoFuse矽智財應用範疇廣泛涵蓋程式碼儲存(Code Storage)、加解密碼儲存(Code Encryption)、身份識別(Identification)以及電路調校(Analog Trimming)等。透過晶片內建NeoFuse，其獨特的反熔絲結構與讀寫技術能提供安全金鑰 (Security Key)，可於資料寫入後進入唯讀保護模式，防護晶片內儲存之資料受到破壞及竄改，其資訊安全防護等級更已獲得CA認證。力旺電子獨特的嵌入性非揮發性記憶體矽智財，具備能經由特殊線路設計達成超低電壓讀取的特性，可於系統功能啟動前即提供韌體與晶片之間的身份辨識功能，強化資訊保護，為重視資料安全如物聯網與智慧家庭等應用，提升產品附加價值。
關於力旺電子：
力旺電子(股票代碼:3529)成立於2000年8月，專注於邏輯製程嵌入式非揮發性記憶體矽智財開發。自成立迄今，力旺電子投入研發自有創新技術，開發出NeoBit(一次性與多次性讀寫編程元件)、NeoFuse(一次性與多次性讀寫編程元件)、NeoMTP(1千次以上重複讀寫編程元件)、NeoFlash(1萬次以上重複讀寫編程元件)、NeoEE(10萬次以上重複讀寫編程元件)等領先性產品，並持續發展先進技術，致力於提供客戶廣泛的矽智財技術服務、非揮發性記憶體元件與嵌入式記憶體應用等，為全方位之嵌入式非揮發性記憶體矽智財供應商。如需取得更多力旺相關資料，請參見官方網站：www.ememory.com.tw.
力旺電子(股票代碼:3529)成立於2000年8月，專注於邏輯製程嵌入式非揮發性記憶體矽智財開發。自成立迄今，力旺電子投入研發自有創新技術，開發出NeoBit(一次性與多次性讀寫編程元件)、NeoFuse(一次性與多次性讀寫編程元件)、NeoMTP(1千次以上重複讀寫編程元件)、NeoFlash(1萬次以上重複讀寫編程元件)、NeoEE(10萬次以上重複讀寫編程元件)等領先性產品，並持續發展先進技術，致力於提供客戶廣泛的矽智財技術服務、非揮發性記憶體元件與嵌入式記憶體應用等，為全方位之嵌入式非揮發性記憶體矽智財供應商。如需取得更多力旺相關資料，請參見官方網站：www.ememory.com.tw.
