2016年7月14日--總部位於美國洛杉磯市、開發替代MOSFET技術的氮化鎵(eGaN)技術的宜普電源轉換公司(EPC) 與總部位於香港的創徽科技有限公司(ASD)宣佈攜手合作,共創新里程,針對客戶的目標應用,利用最新的eGaN技術爲客戶提供最佳的解決方案。
EPC公司是研發氮化鎵技術和製造氮化鎵器件的領導廠商。具備優越性能的氮化鎵場效應電晶體(eGaN®FET)及積體電路在各種終端應用中可以替代日益老化的MOSFET技術,包括DC/DC轉換器、無線電源傳輸、波峰追蹤、射頻傳輸、功率逆變器、光學遙感技術及D類音訊放大器等應用。
總部位於香港的產品設計和製造創新者ASD公司於影像電子元件業務方面累積超過14年的經驗,為客戶從概念開發到產品製造提供創新及全面的解決方案。ASD為尋求高效解決方案及面向全球市場的客戶提供設計和製造服務,業務主要面向美國、歐洲及大中華區市場。
ASD公司首席執行長Patrick Lee稱:「對於很多客戶來說,在開發各種創新的解決方案之同時要加快產品的上市進程,是一項極大的挑戰,尤其是要採用全新技術。我們深信氮化鎵技術擁有巨大潛力,它將帶領半導體業界勇闖下一個高峰,而客戶也勢將尋求可以支援他們從產品概念的開發到製造的合作夥伴。我們很高興可以與EPC公司攜手合作,為客戶整合先進的eGaN技術和專業設計,從概念開發到產品製造,共創新里程。」
EPC公司首席執行長及共同創辦人Alex Lidow稱:「我們一直尋求具有豐富的系統設計經驗的業務夥伴,支援客戶從概念的開發到製造,從而滿足市場對需求日增的eGaN技術的需要。ASD公司是我們的首選合作夥伴。在未來的季度裡,我們期望在日新月異的氮化鎵產業發展中與ASD公司重點集中在掌握全球市場脈搏,為客戶找出最適合拓展的全新商機,例如基於eGaN技術的無線充電設計及其他的應用。我們可以看到基於氮化鎵技術的產品發展迅猛,並且深信在不久的將來,基於氮化鎵技術的應用可以替代基於MOSFET的應用。」
關於ASD公司
總部位於香港的創徽科技有限公司(ASD)是一家主要專注於銷售影像電子元件的公司,以及為客戶提供達到及超出他們期望的高品質產品和解決方案。從概念的開發到產品製造方面,ASD的專長是為客戶提供專業和全面的解決方案。欲瞭解關於ASD的更多資訊,請訪問www.asdtech.com.。
關於宜普電源轉換公司
宜普電源轉換公司是基於增強型氮化鎵的功率管理元件的領先供應商,為首家公司推出替代功率MOSFET元件的矽基增強型氮化鎵(eGaN)場效應電晶體,其目標應用包括直流-直流轉換器、無線電源傳送、波峰追蹤、射頻傳送、功率逆變器、光學遙感技術(LiDAR)及D類音訊放大器等應用,元件性能比最好的矽功率MOSFET元件高出很多倍。此外,宜普公司正在擴大基於eGaN IC的產品系列,為客戶提供進一步節省佔板面積、節能及節省成本的解決方案。詳情請訪問我們的網站,網址為www.epc-co.com.tw 。