UnitedSiC的1200V碳化矽FET能夠為IGBT、矽和碳化矽MOSFET用戶提供業界最高性能的升級途徑
前言：
UJ3C1200系列是一種直接更換的解決方案，無需改變柵極驅動電壓
2018年5月24日--功率因數校正（PFC）、主動前端整流器、LLC轉換器和相移全橋轉換器的設計人員現在可以通過使用來自UnitedSiC的新型UJ3C1200系列碳化矽（SiC ）結型場效應電晶體（JFET）共源共柵（cascodes）來升級現有系統的性能。這些器件的電壓額定值為1200 V，導通電阻為80和40mΩ，能夠為許多現有的IGBT、矽和碳化矽MOSFET部件提供“直接更換”替代解決方案，而無需改變柵極驅動電路。這簡化了設計升級，並為現有零部件提供了可替代採購來源。
對於功率因數校正、主動前端整流器、LLC轉換器和相移全橋轉換器等應用，需要更高的效率和/或功率密度，所涉及的終端應用包括車載電動汽車（EV）充電器、叉車電池充電、光伏逆變器以及焊接等。
UJ3C1200系列基於UnitedSiC的第三代SiC電晶體技術，將一個碳化矽 JFET與定制設計的矽MOSFET集成在一起，憑藉SiC JFET的速度、效率和高溫額定值，實現通常關運行、高性能體二極體和MOSFET簡單柵極驅動的完美組合。因此，現有系統可以實現性能提升，降低傳導和開關損耗，提高熱性能，並集成有柵極ESD保護。在新設計中，UnitedSiC UJ3C1200系列可提供實質性的系統優勢，能夠提高開關頻率和效率，並可減小磁性元件和電容器等被動元件的尺寸和成本。
UnitedSiC將在PCIM 2018 ECOMAL歐洲展臺7-406上展示1200V FET系列產品。
UnitedSiC還將參加兩個小組討論：
“未來5年電源製造商面臨的挑戰和機遇”-- 2018年6月5日（星期二）12：00 - 13：00，6展廳155號展位。
“碳化矽 – 面向未來設計的器件” --- 2018年6月6日（星期三），13:30 – 14:30, 6展廳155號展位。
“未來5年電源製造商面臨的挑戰和機遇”-- 2018年6月5日（星期二）12：00 - 13：00，6展廳155號展位。
“碳化矽 – 面向未來設計的器件” --- 2018年6月6日（星期三），13:30 – 14:30, 6展廳155號展位。
價格和供貨
UJ3C1200系列碳化矽場效應電晶體現已經在授權販售者處銷售，發貨數量最低為500件，起價為10.39美元。
UJ3C1200系列碳化矽場效應電晶體現已經在授權販售者處銷售，發貨數量最低為500件，起價為10.39美元。
主要優勢
• 低Rdson：降低傳導損耗
• 靈活的柵極驅動：易於直接更換IGBT、矽或其他碳化矽MOSFET設計，或使用0V至12V簡單柵極驅動，節省BOM成本
• 低熱阻：允許更高的RMS電流，提供更多的輸出功率
• ESD保護：HBM Class 2級別保護，確保柵極上的過壓尖峰被鉗位
• 靈活的柵極驅動：易於直接更換IGBT、矽或其他碳化矽MOSFET設計，或使用0V至12V簡單柵極驅動，節省BOM成本
• 低熱阻：允許更高的RMS電流，提供更多的輸出功率
• ESD保護：HBM Class 2級別保護，確保柵極上的過壓尖峰被鉗位
評論
UnitedSiC副總裁Anup Bhalla在談及新型SiC電晶體系列的優勢時表示：“這些令人興奮的新器件能夠使設計人員採用SiC技術，而無需擔心柵極驅動器的複雜性。高性能體二極體和集成式柵極ESD保護為設計人員帶來更多附加值，同時幫助用戶獲得許多獨家供應商部件的第二來源。”
技術資料
• UJ3C120080K3S 資料表
• UJ3C120040K3S 資料表
關於UnitedSiC
UnitedSiC致力於開發創新的碳化矽二極體和FET功率半導體，為電動汽車（EV）充電器、AC-DC和DC-DC電源、可變速馬達驅動器和太陽能光伏逆變器提供業界最佳的SiC效率和高溫下的性能。
